晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

BC857CQBZ具备多个关键特性，使其在多种电路设计中表现优异。首先，它具有较高的电流增益（hFE），通常在110到800之间，具体取决于等级（如BC857A、BC857B、BC857C等），这使得它能够有效地放大信号或驱动负载。其次，该晶体管的饱和电压（Vce_sat）较低，在最大额定电流下通常不超过0.25V，有助于减少功耗并提高效率。
　　此外，BC857CQBZ采用了SOT-23封装，具有较小的体积和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够满足大多数低功率应用的需求。该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适用于工业和汽车环境。
　　该器件还具有良好的开关特性，响应速度快，适合用于数字开关电路。同时，由于其结构设计和制造工艺，BC857CQBZ在高频应用中也表现出色，可应用于射频和中频放大器。

BC857CQBZ由于其多功能性和可靠性，广泛应用于多个领域。在消费电子领域，它常用于音频放大器、逻辑电平转换、LED驱动和开关电路中。在工业控制方面，该晶体管可用于传感器接口电路、继电器驱动以及电机控制中的低功率部分。
　　在汽车电子系统中，BC857CQBZ可用于车身控制模块、车灯控制、仪表盘显示驱动以及车载传感器信号放大。由于其良好的温度特性和稳定性，它也非常适合用于汽车环境中的各种控制电路。
　　此外，BC857CQBZ还可用于电源管理电路，如DC-DC转换器中的开关元件，以及作为其他晶体管或MOSFET的驱动器。它在通信设备中也可用于信号放大和处理，适用于低噪声前置放大器的设计。

BC847C, 2N3904, MMBT3904, BC547C