时间：2025/8/6 11:11:59
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IXTA130N10T 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和高可靠性的电源转换应用。该器件采用 TO-263 封装（也称为 D2PAK），便于表面贴装，具有良好的热性能和高功率处理能力。该 MOSFET 设计用于高电流、高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：130A
导通电阻（Rds(on)）：约 3.2mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约 180nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
最大功耗（Ptot）：约 300W（依赖散热条件）
IXTA130N10T 具有低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中导通损耗大大降低，从而提高了系统的整体效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，实现了优异的开关性能，适用于高频操作环境，如开关电源（SMPS）、同步整流器和负载开关等。
TO-263 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定运行，同时便于 PCB 布局和自动化装配。
其高雪崩能量耐受能力和强大的短路保护特性，使其在恶劣的工作环境下仍能维持较高的可靠性。
此外，IXTA130N10T 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V 至 20V），可兼容多种驱动器设计，增强了其在不同系统中的适用性。
IXTA130N10T 广泛应用于各种高功率电子系统中，如大功率 DC-DC 转换器、服务器电源、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业电机控制设备。
它也常用于太阳能逆变器和储能系统中的功率开关，以实现高效能的能量转换。
在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，该器件可用于车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换模块，提供高可靠性和高效率的电力传输。
由于其优异的热管理和高电流处理能力，IXTA130N10T 也适用于需要快速开关和高稳定性的自动化控制系统和工业机器人。
此外，该 MOSFET 在电源管理系统、LED 照明驱动器和高功率音频放大器中也有广泛的应用。
IXTA130N10T 的替代型号包括 IXTK130N10T（TO-247 封装版本），以及类似的 N 沟道 MOSFET 如 IRFP2907PBF（来自 Infineon）、SiR132DP-T1-GE3（来自 Vishay）等。
