NTHD4P02FT1-ON 是 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件主要用于通用开关和放大应用,具有较高的性能和可靠性,适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。这款晶体管采用 SOT-23 封装,适合表面贴装技术(SMT),便于在现代电子电路板上使用。NTHD4P02FT1-ON 在设计上优化了电流放大系数(hFE)和饱和电压(VCE(sat)),使其在低电压和中等电流应用中表现出色。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(IC):100 mA
最大集电极-发射极电压(VCEO):30 V
最大集电极-基极电压(VCB):30 V
最大发射极-基极电压(VEB):5 V
最大功耗(PD):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
电流增益(hFE):110(最小值)
频率响应:100 MHz(典型值)
高电流增益:NTHD4P02FT1-ON 提供较高的电流增益(hFE),确保在低基极电流下仍能实现有效的集电极电流控制,非常适合用于信号放大和开关应用。
低饱和电压:该晶体管在导通状态下具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),从而降低了功率损耗,提高了能效。
宽工作温度范围:该器件可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业和汽车环境。
高频响应:具有高达 100 MHz 的特征频率(fT),适合用于中高频放大电路。
可靠性高:ON Semiconductor 的制造工艺确保了该器件具有优异的长期稳定性和抗静电能力。
小尺寸封装:SOT-23 封装节省 PCB 空间,便于在紧凑型电子设备中集成。
通用开关电路:NTHD4P02FT1-ON 适用于各种低功率开关应用,如 LED 驱动、继电器控制和数字逻辑电路中的开关元件。
信号放大:由于其高 hFE 和低噪声特性,该晶体管可用于音频放大器、传感器信号调理和模拟信号处理电路。
接口电路:常用于将微控制器或逻辑 IC 的输出信号转换为更高电流或电压水平以驱动外部设备。
汽车电子:适用于车载电子系统中的传感器接口、继电器驱动和控制电路。
消费类电子产品:广泛用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的信号控制和电源管理电路。
工业控制系统:用于 PLC、传感器模块和自动化设备中的信号放大和开关控制。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A