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BC849C,215 发布时间 时间:2025/4/27 10:07:30 查看 阅读:4

BC849C 是一种常见的 NPN 型小信号晶体管,广泛应用于各种电子电路中。其主要功能是作为开关或放大器使用,适合于低功率和中等频率的应用场景。该晶体管具有较高的增益和较低的噪声特性,非常适合用于音频设备和其他需要高精度控制的电路。
  215可能是指封装形式或者相关的序列号,在常规资料中未明确指向特定含义,若指代封装,则可能是SOT-23封装,这是一种小型表面贴装封装。

参数

集电极最大电流:100mA
  集电极-发射极击穿电压:30V
  发射极-基极击穿电压:6V
  最大耗散功率:350mW
  直流电流增益(hFE):最小值100,典型值250
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

BC849C 具有良好的高频特性和稳定性,能够提供较高的增益性能,适用于高频放大器设计。同时,它还具备低噪声的特点,适合用作前置放大器。此外,该晶体管支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和小型化设计。
  由于其出色的电气性能和可靠性,BC849C 成为许多消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统的理想选择。

应用

BC849C 广泛应用于多种领域,包括但不限于音频放大器、信号调节电路、开关电路、逻辑电路驱动、传感器接口以及各类便携式电子设备中。在实际使用中,它可以单独作为分立元件,也可以与其他组件集成到更复杂的系统内。
  例如,在849C 可以用作过流保护开关;而在无线模块中,则可以作为信号增强器来提高传输距离。

替代型号

BC847C, BC848C

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BC849C,215参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大250mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)