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STP80NF70 发布时间 时间:2025/6/30 13:09:26 查看 阅读:4

STP80NF70是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用,如电机驱动、DC-DC转换器、开关电源等。其耐压能力为700V,连续漏极电流可达8A,工作温度范围为-55℃至150℃。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:2.6Ω
  栅极电荷:35nC
  总电容:180pF
  开关时间:ton=43ns,toff=20ns
  功耗:115W
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

STP80NF70具备以下主要特性:
  1. 高耐压能力,额定电压高达700V,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻,在满负载下能减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关性能,栅极电荷较小,可实现高频开关操作。
  4. 具备良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下正常工作。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 采用标准TO-220封装,易于安装和散热设计。

应用

STP80NF70广泛应用于各种需要高压开关的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和转换。
  3. 电机驱动电路,控制直流或无刷电机的速度和方向。
  4. UPS不间断电源中的逆变器部分。
  5. 各类工业设备中的功率管理模块。
  6. 照明系统的电子镇流器和LED驱动电路。
  由于其高耐压特性和优异的开关性能,STP80NF70特别适合于要求高可靠性和高效能的应用场合。

替代型号

IRF740,
  STP80NP70,
  FQA8N70E

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STP80NF70参数

  • 其它有关文件STP80NF70 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)68V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C98A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.8 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2550pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-10964-5