类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：140A（在 100°C 时）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（最大值，典型值 3.5mΩ）
　　栅极电荷（Qg）：95nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双片封装（Dual Cooling）
　　安装类型：表面贴装

BC57G687CGITME4 具备多项优良的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率，适用于高电流应用。该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，提供卓越的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其高栅源电压容限（±20V）增强了器件在高噪声环境中的鲁棒性，降低了栅极击穿的风险。
　　此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而缩小外部电感和电容的尺寸，优化整体系统设计。PowerPAK SO-8 封装采用双面冷却技术，提高了散热效率，使得器件在高功率密度应用中依然能保持较低的工作温度。
　　BC57G687CGITME4 还具备快速的开关特性，支持高频操作，适用于如同步整流、电机驱动和电池管理系统等高性能功率电子系统。其紧凑的封装设计也有助于节省 PCB 空间，适合现代电子产品对小型化和轻量化的需求。

BC57G687CGITME4 主要应用于各种高功率和高效率电子系统，包括但不限于同步降压和升压 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、通信设备电源模块以及工业自动化和控制系统中的功率开关。由于其出色的导通性能和热管理能力，该器件也非常适合用于电动汽车和新能源系统中的功率转换模块。

SiR142DP-T1-GE3, SQM142EL, IPB013N04NGATMA1