时间：2025/9/14 16:47:17
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BAW56WPT是一种常见的双极型晶体管（BJT）阵列器件，通常用于高频开关和放大应用。该器件包含多个晶体管，通常为NPN和PNP组合结构，能够提供较高的工作频率和良好的温度稳定性。BAW56WPT采用TSSOP（薄型小外形封装）封装，适合用于空间受限的电路设计，如通信设备、消费类电子产品和工业控制系统。由于其高频性能和紧凑的封装设计，BAW56WPT在射频（RF）电路、逻辑电路和缓冲放大器中广泛使用。
晶体管类型：NPN/PNP组合阵列
最大集电极电流（Ic）：100 mA（每个晶体管）
最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V（NPN），-50 V（PNP）
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V（NPN），-50 V（PNP）
最大功耗（Ptot）：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSSOP
BAW56WPT具有多个晶体管集成在一个封装中的特点，适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计。其NPN和PNP晶体管组合可以用于构建差分放大器、推挽放大器和开关电路。该器件的高频响应特性使其适用于射频和高速数字电路应用。此外，BAW56WPT的TSSOP封装设计有助于提高电路板的空间利用率，并提供良好的热稳定性和电气性能。该器件的制造工艺确保了较低的噪声系数和较高的电流增益，使其在低噪声放大器和信号处理电路中表现优异。
BAW56WPT还具有良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的电气特性。其高击穿电压特性使得该器件适用于中高电压开关应用。此外，该器件的多晶体管结构可以减少外部元件数量，提高电路的集成度和可靠性。
BAW56WPT广泛应用于射频（RF）放大器、高频开关电路、差分放大器、推挽放大器、逻辑门电路和缓冲放大器。由于其高频性能和紧凑的封装设计，该器件也常用于无线通信设备、消费类电子产品、工业控制系统和测试测量仪器。在音频放大器和数字电路中，BAW56WPT可用于构建高性能的晶体管开关和放大电路。此外，该器件还可用于电源管理电路和低噪声放大器设计。
BC847系列, BC857系列, MMBT3904, MMBT3906
