型号：IPB085N06L
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：85A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：340A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V, Id=42.5A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷（Qg）：75nC @ Vds=50V, Id=85A
　　输入电容（Ciss）：4300pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

IPB085N06L的核心特性之一是采用了英飞凌先进的TrenchSTOP?工艺技术，这种深沟槽结构设计使得器件在保持低导通电阻的同时实现了卓越的开关速度。其典型的导通电阻仅为8.5mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了能效。该特性尤其适用于大电流应用场景，如大功率DC-DC降压转换器或同步整流电路，能够显著减少发热问题，提升系统整体效率。
　　另一个关键特性是其优化的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），分别为75nC和19nC左右。较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，从而允许使用更低功耗的栅极驱动器，并支持更高的开关频率操作。这对于现代高密度电源设计至关重要，有助于缩小磁性元件和滤波电容的尺寸，进而实现小型化和轻量化的目标。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力，经过严格测试验证其单脉冲雪崩能量（EAS）可达1.2J，确保在异常工况下仍能维持稳定运行而不损坏。
　　热性能方面，IPB085N06L拥有出色的热阻特性，典型结到外壳热阻（RthJC）约为0.7 K/W，配合适当的散热片可有效将热量传导出去。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。此外，该MOSFET具有正温度系数的Rds(on)，这一特性在多个器件并联使用时尤为重要，因为它能够自然地促进电流均流，避免局部过热导致的失效风险。最后，器件内部集成了快速体二极管，反向恢复时间短（约45ns），减少了反向恢复损耗，提升了在桥式拓扑中的性能表现。

IPB085N06L广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在工业领域，它常见于大功率开关电源、服务器电源模块、工业电机驱动器以及UPS不间断电源系统中，作为主开关或同步整流器件使用。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于48V转12V的中间母线转换器，这类应用在数据中心和通信基础设施中极为普遍。
　　在汽车电子方面，随着电动汽车和混合动力车型的发展，IPB085N06L被广泛用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）系统以及电池管理系统（BMS）中的预充电和主接触器替代方案。其高可靠性和宽温度工作范围满足了汽车行业对功能安全和长期稳定性的严苛要求。此外，该器件也可用于电动工具、无人机和储能系统等消费类和工业类电池供电设备中，作为主功率开关元件。
　　在太阳能逆变器和光伏微逆系统中，IPB085N06L凭借其优异的开关特性和低损耗表现，可用于直流侧开关或MPPT跟踪电路中，提升整体光电转换效率。同时，由于其具备较强的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性能，即使在电网波动或负载突变等非理想条件下也能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。总之，IPB085N06L凭借其全面的技术优势，已成为众多中高端功率转换应用中的首选MOSFET之一。

IPP085N06N3G
　　IPB092N06L
　　IRF1404ZPBF
　　STP85NF55-06
　　FDP180N06S3L