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IRFH8318TRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 17:20:31 查看 阅读:5

IRFH8318TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沃特增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等场景,因其低导通电阻和快速开关特性而备受青睐。此型号采用 TO-Leadless 封装形式(TOLL),具有出色的散热性能和高电流承载能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:242A
  导通电阻:0.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:87nC(典型值)
  反向恢复时间:18ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TOLL

特性

IRFH8318TRPBF 的主要特性包括低导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高效率。此外,其快速的开关速度使其非常适合高频应用,同时降低了开关损耗。
  该器件还具备非常低的栅极电荷和输出电荷,进一步提升了开关性能。TOLL 封装设计提供了一个无引线的表面贴装解决方案,增强了热性能和电气性能,同时也更易于自动化生产。
  其高电流处理能力和宽温度范围使得 IRFH8318TRPBF 在严苛环境下的应用成为可能。

应用

IRFH8318TRPBF 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,例如服务器电源、通信电源、工业电机驱动以及新能源汽车中的 DC-DC 转换器。
  由于其卓越的高频性能和大电流承载能力,它也常用于负载点(POL)转换器和高密度电源模块中。
  此外,该器件适用于要求严格散热管理的设计,如大功率 LED 驱动和 UPS 系统。

替代型号

IRFH8319TRPBF, BSC007N06NS3

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IRFH8318TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3180pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFH8318TRPBFTR