BAW56 T/R 时间：2025/8/15 4:31:30 阅读：14

BAW56 T/R 是一款常用的双极性晶体管（BJT）阵列集成电路，由两个NPN晶体管组成，适用于各种通用放大和开关应用。这款器件通常采用SOT-23-6封装形式，具有较小的体积和良好的电气性能，适合在消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中使用。BAW56 T/R是由安森美半导体（onsemi）生产的，广泛用于需要双晶体管配置的电路设计中。

参数

类型：双极性晶体管（NPN）
　　封装类型：SOT-23-6
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　电流增益（hFE）：110（最小） @ 2mA集电极电流
　　频率响应：250MHz（典型）
　　晶体管数量：2个

特性

BAW56 T/R具有两个集成的NPN晶体管，能够在同一封装中提供双路独立的晶体管功能，这在设计中可以节省空间并简化电路布局。每个晶体管都具有良好的电流放大能力，适用于需要中等功率放大的应用。
　　该器件的最大集电极电流为100mA，能够满足大多数中低功率应用的需求。其集电极-发射极击穿电压为30V，基极最大电流为20mA，能够在较为广泛的电压和电流条件下稳定工作。
　　BAW56 T/R的工作温度范围为-55°C到150°C，表明它可以在极端温度环境下正常运行，适合工业级和汽车电子应用。此外，该器件的频率响应高达250MHz，适用于高频放大电路。
　　采用SOT-23-6封装，BAW56 T/R具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和电路集成。

应用

BAW56 T/R广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、电源管理电路、信号放大电路以及数字逻辑电路中。在音频放大器、LED驱动电路、传感器信号调理电路中，该器件可以作为放大或开关使用。
　　由于其高频响应特性，BAW56 T/R也常用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，适用于无线通信模块和射频前端电路设计。
　　在汽车电子系统中，如车载娱乐系统、发动机控制模块、车身控制模块等，BAW56 T/R可以作为通用晶体管使用，提供可靠的开关和放大功能。
　　此外，该器件也适用于需要双晶体管配合工作的推挽式放大电路、H桥驱动电路以及逻辑电平转换电路。