型号：SDB1340MTR15
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：PowerFLAT 3.3x3.3mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大漏源电压(VDS)：40V
　　最大连续漏极电流(ID) @25°C：28A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：110A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=10V：1.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=4.5V：2.1mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=2.5V：2.8mΩ
　　栅极电荷(Qg) 典型值：17nC
　　输入电容(Ciss) 典型值：920pF
　　输出电容(Coss) 典型值：140pF
　　反向恢复时间(trr)：20ns
　　二极管正向电流(IF)：28A
　　反向恢复电荷(Qrr)：12nC

SDB1340MTR15采用了STMicroelectronics先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其典型的RDS(on)仅为1.5mΩ（在VGS=10V时），显著降低了大电流条件下的功率损耗，提高了能源利用效率。这种低RDS(on)特性使得该器件非常适合用于高效率同步整流、电池管理系统以及低压大电流开关电源中，尤其在需要长时间持续高负载工作的场景下表现出色。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与长期可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其PowerFLAT 3.3x3.3mm封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有优良的热传导能力，可通过底部焊盘将热量高效传递至PCB，从而提升散热效果。此外，该封装还支持自动化贴片生产，适用于现代SMT工艺流程，有利于提高生产效率并降低成本。
　　SDB1340MTR15具有较低的栅极电荷（Qg典型值为17nC），这意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低驱动损耗并提升开关速度。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）均经过优化，确保在高频开关操作中具有良好的动态响应能力，减少开关过程中的振荡和电磁干扰。反向恢复时间（trr）仅为20ns，配合低Qrr（12nC），使其在桥式电路或续流应用中表现出更低的反向恢复损耗，进一步增强系统效率。
　　该器件支持宽范围的栅源电压（±20V），增强了对过压瞬态的耐受能力，提升了系统的鲁棒性。它还具备良好的雪崩能量承受能力，可在异常工况下提供一定程度的自我保护。整体而言，SDB1340MTR15是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的先进功率MOSFET，广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多种领域。

SDB1340MTR15因其卓越的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多种高性能电源管理系统中。常见用途包括同步降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为高端或低端开关使用，以实现高效的DC-DC变换。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为笔记本电脑、服务器主板及GPU供电方案的理想选择。
　　在电池供电设备如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器中，SDB1340MTR15常用于电池充放电管理电路、负载开关和电源路径控制，帮助延长续航时间并提升系统能效。此外，它也适用于电动工具、无人机和小型电动车辆的电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，提供快速响应和高效能动力输出。
　　工业自动化系统中的传感器供电、PLC模块电源管理以及LED照明驱动电路也是其典型应用场景。在这些场合中，SDB1340MTR15的高开关频率兼容性有助于减小外部滤波元件尺寸，从而实现更紧凑的设计。同时，其优异的热性能保证了在密闭或高温环境下的长期稳定运行。
　　在通信基础设施中，该器件可用于基站电源、光模块供电等对效率和可靠性要求极高的场合。此外，SDB1340MTR15还可用于USB PD快充适配器、无线充电发射端以及各类AC-DC和DC-DC电源模块中，满足现代电子产品对小型化、高功率密度和绿色节能的需求。

SDH1340MTR15
　　STD1340MTR15