类型：双通道肖特基二极管
　　极性：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　最大正向电压（VF）：@ IF=10mA: 0.36V, @ IF=100mA: 0.52V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=30V, TA=25°C: 500nA
　　反向恢复时间（trr）：典型值 4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（
　　车间寿命无限，≤30°C/85%RH）
　　符合标准：RoHS无铅、无卤素、符合REACH法规
　　制造商：Diodes Incorporated
　　零件状态：量产中

BAV3004WS-7的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构使得器件拥有非常低的正向导通压降，显著降低了功率损耗，提高了能效表现，特别适用于电池供电或对能耗敏感的应用场合。该特性还减少了热生成，有助于提升系统的长期运行稳定性。
　　另一个关键优势在于其超快的开关速度，反向恢复时间典型值仅为4ns，远低于传统PN结二极管。这一特点使其非常适合用于高频整流、高速逻辑信号解调以及瞬态电压抑制等需要快速响应的电路中，有效避免了因延迟引起的信号失真或交叉导通问题。
　　该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极配置，这在实际应用中常用于双路信号钳位、输入保护或多路电源轨之间的隔离。共阴极结构简化了PCB布线，减少外部元件数量，有利于缩小整体方案尺寸。
　　BAV3004WS-7具有极低的反向漏电流，在室温下最大仅为500nA，确保在高阻抗信号路径中不会引入明显的偏移或噪声，适合精密模拟前端和低电平信号处理应用。同时，其最大重复反向电压为30V，能够满足大多数低压数字和模拟系统的耐压需求。
　　得益于SOT-23小型封装，该器件实现了高度集成与空间优化，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等追求轻薄化的设计。此外，其符合工业级温度范围（-55°C至+150°C），保证了在极端环境条件下的可靠运行，增强了产品的环境适应能力。

BAV3004WS-7广泛应用于各类需要高速响应和低功耗特性的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，它常被用作USB接口、音频线路或传感器信号路径中的ESD保护和电压钳位元件，防止静电放电损坏后级IC。其低电容特性也有助于保持信号完整性，尤其在高速数据传输线路中至关重要。
　　在电源管理领域，该器件可用于低压DC-DC转换器中的续流二极管或防反接保护电路，利用其低VF特性减少能量损失，提高转换效率。同时，也可作为多电源系统中的OR-ing二极管，实现冗余电源切换功能。
　　在通信与信号处理电路中，BAV3004WS-7适用于RF检波、限幅放大器输入保护以及逻辑电平转换电路。其快速响应能力可以准确捕捉高频信号包络，而不会产生明显的延迟或畸变。
　　此外，该器件也常见于微控制器I/O端口保护、LCD偏压电路、LED驱动电路以及各类工业控制模块中，提供可靠的过压和反向电流防护。由于其小型封装和高可靠性，还被广泛用于汽车电子中的非动力域系统，如车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制单元等。

BAT54CWS-GS08
　　BAS40-04T1G
　　RB520S-40T1U
　　DMN2040UW-7
　　ZXMP6612A