类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　连续漏极电流（Id）：1.9 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：6.4 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：65 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：85 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.1 V ~ 2.2 V
　　输入电容（Ciss）：270 pF @ Vds = 15 V
　　输出电容（Coss）：100 pF @ Vds = 15 V
　　反向传输电容（Crss）：40 pF @ Vds = 15 V
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：18 ns
　　总栅极电荷（Qg）：4.5 nC @ Vgs = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-723

3LN01SL采用高性能沟槽栅极MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），这使得其在导通状态下产生的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。其典型Rds(on)值仅为65毫欧姆（在Vgs=10V条件下），即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），也能保持85毫欧姆的良好表现，确保了在多种驱动条件下的稳定性和高效性。这种低导通电阻特性特别适用于电池供电设备中，有助于延长续航时间并减少发热。
　　该器件具有快速开关能力，得益于较小的输入、输出及反向传输电容，使其能够在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流、DC-DC升压或降压转换器中实现高效的能量转换。同时，较短的开启和关闭延迟时间（分别为8ns和18ns）进一步提升了其动态响应性能，减少了开关过程中的交越损耗，有利于提升电源系统的效率与稳定性。
　　3LN01SL所采用的SOT-723封装不仅体积小巧（仅约2mm x 1.25mm），还具备良好的散热性能，可在有限的空间内实现高密度布局，非常适合用于智能手机、蓝牙耳机、智能手表等追求轻薄化设计的消费类电子产品。此外，该封装支持自动化贴片生产，便于大规模制造，提升了产品的一致性与可靠性。
　　器件的工作结温可达+150°C，具备较强的热耐受能力，可在较为严苛的环境条件下可靠运行。同时，其阈值电压范围合理（1.1V~2.2V），可兼容常见的逻辑电平信号驱动，适用于微控制器直接驱动的应用场合。综合来看，3LN01SL凭借其小尺寸、低功耗、高效率和高可靠性，在现代低电压、低功耗功率开关应用中占据重要地位。

3LN01SL常被用于各类便携式电子设备中的电源管理电路，例如手机、平板电脑、智能手环和无线耳机等产品的电池保护电路或负载开关模块。它也广泛应用于DC-DC转换器中作为同步整流开关或高端/低端驱动元件，以提高转换效率并减小整体方案尺寸。此外，在LED驱动电路、电机驱动（如微型振动马达）、USB端口过流保护以及各类低功耗嵌入式控制系统中，该器件均可发挥出色的开关性能。由于其支持逻辑电平驱动，因此也可用于微控制器I/O扩展时的功率接口缓冲，实现对传感器、继电器或其他外围设备的控制。在工业传感、智能家居节点和便携医疗设备中，3LN01SL同样适用于需要高效能、小体积功率开关的场景。

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