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IRFB7440PBF 发布时间 时间:2025/6/16 17:23:13 查看 阅读:4

IRFB7440PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用Pb-Free无铅封装技术,符合RoHS标准。其设计适用于高效率、高频开关应用场合,如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:21A
  导通电阻:6.5mΩ
  栅极电荷:13nC
  输入电容:1350pF
  总功耗:220W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:TO-220FP

特性

IRFB7440PBF是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)仅为6.5mΩ),可显著降低传导损耗。
  2. 快速开关性能,栅极电荷较小(仅13nC),适合高频应用。
  3. 高电流处理能力,支持高达21>4. 工作温度范围宽广(-55℃至150℃),能够在恶劣环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,采用环保无铅封装工艺。
  6. 具有良好的热性能和电气稳定性,确保在各种负载条件下的可靠性。

应用

IRFB7440PBF广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池管理与保护电路
  5. 汽车电子中的负载切换
  6. 工业自动化设备中的功率控制
  该器件凭借其低损耗和高效能特性,成为众多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

IRFB7441PBF, IRFZ44N, FDP5800

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IRFB7440PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列StrongIRFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 100µ A
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs135nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4730pF @ 25V
  • 功率 - 最大208W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件