类型：双通道开关二极管
　　最大重复反向电压(VRRM)：70V
　　最大平均整流电流(IF(AV))：100mA
　　峰值浪涌电流(IFSM)：500mA
　　正向压降(VF)：1.25V @ 10mA
　　反向漏电流(IR)：100nA @ 70V
　　结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

BAV199FMFH+ 的核心优势在于其高速性能和低寄生效应。该器件内部集成了两个独立的二极管，每个二极管都具备快速恢复时间（trr通常小于4ns），适用于高频开关操作。此外，每个二极管的结电容非常低（一般在5pF以下），这有助于减少信号失真，提高系统效率。
　　该器件采用了安森美半导体成熟的硅工艺制造，确保了良好的稳定性和耐用性。SOT-23封装不仅节省空间，还支持表面贴装技术，非常适合现代电子产品的自动化生产需求。
　　在热管理方面，BAV199FMFH+ 能够在较高的环境温度下正常工作，适应各种苛刻的工作条件。同时，该器件的反向漏电流控制得非常好，即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。

BAV199FMFH+ 主要用于需要高频响应和低电容特性的电路设计中。典型应用场景包括射频信号切换、过压保护电路、逻辑隔离、数据线路保护以及数字电路中的信号整流。
　　在通信领域，该器件可用于以太网接口、USB线路保护和电话交换系统的信号路由。在工业自动化设备中，它被用来隔离不同电压域，防止电流倒灌导致的系统故障。
　　此外，BAV199FMFH+ 还常见于电源管理系统中的电压检测模块，以及作为逻辑门电路中的选择性导通元件使用。由于其小尺寸和高性能特点，在便携式电子产品中也得到了广泛应用，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号路径控制。

1N4148WS, BAS70-04, BAV99