电容值：100nF (0.1μF)
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　长度：1.6mm ±0.2mm
　　宽度：0.8mm ±0.15mm
　　厚度：0.8mm max
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：Class II, X7R
　　端子结构：Ni-Sn（镍/锡）三层电极
　　可焊性：符合EIA/JEDEC J-STD-020标准
　　耐焊接热：符合J-STD-020要求
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 R × C ≥ 500 Ω·F（取较大值）
　　DC偏压特性：在50V下电容值下降约30%-50%（典型值）
　　使用寿命：在额定电压与温度下≥ 10年

CL05F104ZO5NNNC所采用的X7R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温范围内维持电容值的变化不超过±15%，这一特性使其适合用于环境温度波动较大的应用场景。相比其他II类介电材料如Y5V，X7R提供了更好的电容稳定性和更低的温度依赖性，因此更适合于需要精度和可靠性的耦合、滤波和电源去耦电路。此外，尽管X7R材料存在一定的直流偏压效应——即随着施加电压增加，有效电容会有所下降——但其在50V工作电压下的剩余电容仍能保持在初始值的50%以上，满足大多数中压应用需求。
　　该器件采用0603小型封装，极大节省了PCB布局空间，适用于高集成度的移动设备、智能手机、平板电脑及物联网终端设备。其紧凑的设计不仅提升了单位面积内的元件密度，也减少了寄生电感和电阻，从而改善高频性能。内部多层结构设计增强了机械强度并降低ESR和ESL（等效串联电感），有助于提高去耦效率和抑制噪声传播。同时，镍阻挡层和外部锡涂层的端子系统有效防止银离子迁移现象，提升长期可靠性与潮湿环境下的耐久性。
　　制造工艺方面，CL05F104ZO5NNNC采用先进的薄层共烧技术，实现多达数百层的陶瓷-电极交替堆叠，确保一致的电气特性和批次稳定性。产品经过严格的老化筛选和环境测试，包括温度循环、高温高湿偏压（THHB）和可焊性验证，以保证出厂质量。此外，该电容符合无铅回流焊工艺要求，兼容主流SMT生产线流程，支持峰值温度达260°C的焊接条件，适应现代电子制造的高标准要求。

CL05F104ZO5NNNC因其优良的稳定性、小尺寸和适中的额定电压，被广泛应用于各类电子系统的电源管理单元中，作为去耦电容用于IC供电引脚附近，有效滤除高频噪声并稳定电压波动。常见使用场景包括微处理器、FPGA、ASIC、ADC/DAC芯片的电源轨旁路，尤其是在数字逻辑电路和混合信号系统中发挥关键作用。此外，它也常用于DC-DC转换器输出端的滤波网络，配合电感构成LC滤波器，平滑输出电压纹波，提升电源质量。
　　在消费类电子产品如智能手机、笔记本电脑、智能手表和无线耳机中，该电容用于射频模块、传感器接口和音频处理电路中的耦合与退耦，帮助维持信号完整性。通信设备中的基站组件、路由器和光模块同样利用其高频响应能力进行信号路径优化。工业自动化控制系统、医疗监测设备以及汽车电子中的非动力域模块（如信息娱乐系统）也是其典型应用领域。
　　由于具备良好的温度适应性和可靠性，CL05F104ZO5NNNC还可用于有一定环境挑战的应用场合，例如户外监控设备或工业现场仪表。在这些环境中，温度变化剧烈且可能存在振动或湿度影响，该电容的坚固结构和稳定性能保障了电路长期运行的稳定性。此外，其符合RoHS指令的特点使其适用于全球市场的绿色环保产品设计，避免法规合规风险。

GRM188R71H104KA01D
　　CC0603ZRY5V104Z
　　RC0603FR-07100KL
　　C1608X7R1H104K