类型：PIN二极管阵列
　　配置：双串联PIN二极管
　　最大反向电压（VRRM）：75V
　　最大正向电流（IF）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1A
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　结电容（Cj）：典型值2.5pF（在1MHz，1V下）
　　正向电压降（VF）：最大1.2V（在10mA时）
　　漏电流（IR）：最大1μA（在60V时）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BAV116T-7的核心特性之一是其内置的双串联PIN二极管结构，这种设计使其特别适用于高频信号路径的开关与控制。PIN二极管在正向偏置时呈现低阻抗状态，而在反向偏置时则表现为高阻抗，从而实现对射频或模拟信号的有效通断控制。该器件的反向恢复时间极短，仅为4ns，确保了在高速切换应用中不会产生明显的延迟或失真，能够支持高达数百兆赫兹的信号频率操作。这一特性使得BAV116T-7成为无线通信模块、手机天线切换、蓝牙/Wi-Fi前端电路等高频系统的理想选择。
　　另一个显著特点是其低结电容，典型值为2.5pF，这有助于最小化对高频信号路径的负载效应，保持信号完整性。在音频和射频切换电路中，过高的寄生电容会导致信号衰减或相位偏移，而BAV116T-7的低电容设计有效避免了此类问题。此外，其正向导通电压较低（最大1.2V @ 10mA），可在低功耗系统中减少能量损耗，提升整体能效。该器件还具备良好的热稳定性，能够在极端温度环境下长期可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用场景。
　　由于采用SOT-23小型封装，BAV116T-7占用PCB面积小，便于实现紧凑型设计，尤其适合空间受限的移动设备。其引脚兼容标准三极管封装，简化了PCB布局与替换过程。制造工艺上，该器件采用先进的晶圆级加工技术，保证了批次间的一致性和长期供货稳定性。同时，产品通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体型号等级），增强了其在汽车电子中的适用性。综合来看，BAV116T-7凭借其高频性能、小型化封装和高可靠性，在现代电子系统中扮演着重要角色。

BAV116T-7主要应用于需要高频信号切换和线路保护的电子系统中。一个典型的应用场景是射频开关电路，例如在多模多频移动通信设备中用于天线切换，实现GSM、LTE、Wi-Fi和蓝牙等不同频段之间的动态切换。由于其低电容和快速响应特性，该器件可以在不影响信号质量的前提下完成高频路径的选择与隔离。另一个重要用途是在音频信号路径管理中，如智能手机或平板电脑中的耳机插孔检测与麦克风切换，利用其双向导通能力和低失真特性，确保音频信号清晰传输。
　　在数据接口保护方面，BAV116T-7可用于USB、HDMI或其他高速数据线路的静电放电（ESD）防护，虽然它不是专用的TVS二极管，但其一定的瞬态耐受能力可作为辅助保护元件。此外，该器件也常见于模拟开关电路中，配合其他有源器件实现信号路由控制，广泛用于测试测量仪器、便携式医疗设备和工业传感器接口中。在电源管理单元中，它可以作为低压侧开关或反向电流阻断元件使用，尤其适合电池供电系统中的节能设计。由于其宽温工作范围和高可靠性，BAV116T-7也被用于车载信息娱乐系统、导航模块和远程通信终端等汽车电子领域。总之，凡涉及小信号高速切换、低功耗运行和空间限制的设计，BAV116T-7都是一种实用且高效的解决方案。

BAV116W-7-F
　　BAV116LT1G
　　PMST230