时间：2025/8/10 17:13:11
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F25300是一款由Fairchild（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件以其高效的开关性能和良好的热稳定性受到工程师的青睐。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：30A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
F25300具有低导通电阻和高电流承载能力，这使得它在高功率应用中表现出色。该器件采用先进的平面技术制造，提供更高的可靠性和更长的使用寿命。此外，F25300还具备快速开关特性，减少了开关损耗，从而提高了整体效率。
该MOSFET具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高温环境下稳定运行。其封装形式通常为TO-220或D2PAK，便于安装和散热设计，适用于各种高功率密度设计场景。
F25300常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统、电池充电器以及各种高功率开关应用。由于其优异的性能，该器件也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP3030BL, FQA30N60
