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CS15N50FA9R 发布时间 时间:2025/8/1 23:22:01 查看 阅读:13

CS15N50FA9R 是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的平面技术,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器等应用场景。CS15N50FA9R采用TO-220F封装形式,具备良好的热管理和电气性能,适用于高功率密度设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流:15A
  最大漏-源电压:500V
  导通电阻(Rds(on)):0.36Ω(典型值)
  栅极电压范围:±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220F

特性

CS15N50FA9R具备多项优异特性,适用于高要求的功率电子应用。其主要特性包括:
  1. **低导通电阻**:该器件的典型导通电阻为0.36Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。在高电流工作条件下,这种低Rds(on)特性能够显著减少发热,提高整体系统的稳定性。
  2. **高耐压能力**:CS15N50FA9R的漏-源电压额定值为500V,适用于高电压应用,能够承受较大的瞬态电压波动,从而增强系统的可靠性。
  3. **高电流承载能力**:最大漏极电流为15A,使其适用于中高功率应用,如开关电源、逆变器以及马达控制电路。
  4. **优异的热管理性能**:采用TO-220F封装,具备良好的散热能力,确保在高功率操作下仍能维持较低的工作温度,延长器件寿命。
  5. **快速开关特性**:CS15N50FA9R具有较低的开关时间,能够实现快速的导通与关断,减少开关损耗,适用于高频开关电源设计。
  6. **宽工作温度范围**:其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应多种环境条件,包括工业级应用中的极端温度环境。
  7. **过载与短路保护能力**:该MOSFET能够在短时间承受过载或短路状态,为系统提供一定的容错能力,提高整体的安全性。

应用

CS15N50FA9R由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理性能,广泛应用于多种功率电子系统中。典型应用包括:
  1. **开关电源(SMPS)**:该MOSFET适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等开关电源电路,提供高效的功率转换能力。
  2. **逆变器与变频器**:在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电机驱动变频器中,CS15N50FA9R可用于高频开关电路,实现高效的能量转换。
  3. **马达驱动电路**:由于其高电流承载能力和快速开关特性,CS15N50FA9R适用于直流马达驱动器、电动工具和工业自动化设备中的功率控制。
  4. **LED照明电源**:在LED驱动电源中,该器件可用于恒流控制电路,提高系统的效率和稳定性。
  5. **充电器与适配器**:CS15N50FA9R常用于笔记本电脑、平板电脑、手机等电子设备的电源适配器中,作为主开关元件,提升能效和功率密度。
  6. **家电控制模块**:在洗衣机、空调、微波炉等家电产品中,CS15N50FA9R可作为功率开关元件,用于控制加热元件、风扇或压缩机等负载。

替代型号

1. FQP15N50C
  2. IRFZ44N
  3. STP15N50
  4. NCE15N50
  5. AP15N50

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