类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向电流（IF）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：@ IF=1mA时为0.24V；@ IF=10mA时为0.36V；@ IF=100mA时为0.55V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=25V, TA=25°C 时为0.1μA
　　反向恢复时间（trr）：<1ns
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

BAT854的最显著特性之一是其超低正向导通电压，这得益于其采用的肖特基势垒技术。与传统的硅PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成整流效应，避免了少数载流子的存储效应，从而实现了更快的开关速度和更低的导通压降。在小电流应用中，BAT854的正向压降可低至0.24V（@1mA），这显著减少了功率损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的信号整流和防反接保护。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr <1ns）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子复合过程，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷。这一特性使得BAT854在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。例如，在高速数据线路或PWM控制电路中，BAT854可以作为快速响应的钳位或续流二极管使用。
　　BAT854还具备出色的反向漏电流控制能力。在25V反向电压下，室温时的最大漏电流仅为0.1μA，确保了在高阻抗电路中的信号完整性。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流问题，但BAT854通过优化的工艺设计有效抑制了漏电流的增长，特别是在高温环境下仍能保持较低的漏电水平。此外，其共阴极双二极管结构便于构建双通道信号处理电路，如双路逻辑电平转换、音频信号解调或LED驱动保护。
　　该器件采用SOT-23小型化封装，不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能和焊接可靠性。SOT-23封装符合RoHS标准，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化贴片生产。BAT854的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等多种应用场景。

BAT854广泛应用于需要高效、快速响应的低电压整流和信号处理电路中。一个典型应用是在电源管理电路中作为防反接保护二极管，利用其低正向压降减少能量损耗，提高系统效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BAT854常用于电池充电路径的隔离和电压检测电路，防止电流倒灌损坏电源模块。
　　在高频信号处理领域，BAT854可用于射频检波器和混频器电路，其快速响应能力和低噪声特性有助于提高接收灵敏度和信号保真度。例如，在无线遥控、红外接收和RFID读写器中，BAT854能够精确地对调制信号进行包络检波，实现稳定的数据解码。
　　此外，BAT854也常用于数字逻辑电路中的电平移位和信号钳位。当不同电压域的IC之间进行通信时，BAT854可作为双向电平转换器的一部分，限制输入电压范围，保护低压芯片免受过压损伤。在微控制器I/O端口保护、传感器接口和总线隔离等应用中，其共阴极结构允许同时保护两条信号线，简化电路设计并提高可靠性。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，BAT854可用作次级侧的同步整流辅助二极管或输出滤波钳位二极管，抑制电压尖峰，改善动态响应。其快速反向恢复特性有助于减少开关损耗，提升电源整体效率。同时，由于其良好的ESD耐受能力，BAT854也可作为静电放电保护元件，集成于USB接口、耳机插孔等易受静电影响的输入端口，提供有效的瞬态电压抑制。

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　　 "BAT54S",
　　 "BAT54C",
　　 "BAS40-04",
　　 "RB751S40",
　　 "PMG2823EP"
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