类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：18A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

WA6F214VA1TR1800 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该器件支持高达18A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。此外，最大漏源电压为100V，使其适用于多种中高功率应用。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，提升了开关速度并减少了开关损耗，适用于高频开关电路。其±20V的栅极电压耐受能力增强了抗过压和瞬态电压的能力，提高了器件的可靠性。
　　在热管理方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率密度环境下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也便于PCB布局和焊接，适合表面贴装工艺。
　　WA6F214VA1TR1800 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬态过载和反向电压冲击，适用于工业级和汽车电子系统中的关键功率控制环节。

该MOSFET广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）和负载开关。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电机驱动器、功率放大器和工业自动化控制电路的理想选择。
　　在汽车电子领域，WA6F214VA1TR1800 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、LED照明驱动和车载逆变器等应用。其高可靠性和宽工作温度范围满足了汽车电子对稳定性和耐久性的严格要求。
　　此外，该器件也适用于服务器电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和家用电器中的功率控制模块，为高效能、高稳定性系统提供关键支持。

SiHF18N100D、FDPF18N100、STP18NF10