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GA1206Y123KXXBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:16:15 查看 阅读:7

GA1206Y123KXXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该芯片具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  该型号采用先进的制造工艺,能够在高温环境下保持稳定的工作状态,同时具备出色的热性能和电气性能,适合对可靠性要求较高的工业及汽车应用。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):0.8Ω
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C

特性

GA1206Y123KXXBR31G 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压(1200V),适用于高压环境下的功率转换应用。
  2. 极低的导通电阻(0.8Ω),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  3. 快速的开关速度,支持高频工作模式,能够降低开关损耗。
  4. 高温稳定性,能够在极端温度条件下保持可靠的性能。
  5. 内置过流保护功能,提升系统的安全性和可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到各种设计中。
  这些特性使得 GA1206Y123KXXBR31G 成为高压功率转换的理想选择,特别适合在恶劣环境下运行的设备。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级转换。
  2. 工业控制中的电机驱动电路。
  3. 逆变器和 UPS 系统中的功率管理。
  4. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
  5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和车载充电器。
  6. 高压负载开关和保护电路。
  GA1206Y123KXXBR31G 凭借其卓越的性能和可靠性,在以上领域均表现出色,能够满足多种复杂工况的需求。

替代型号

IRFP460, STP12NM60, FDP12N120

GA1206Y123KXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-