时间：2025/8/14 11:46:24
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BAT54STB-AU_R1_000A1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的双P沟道增强型MOSFET，采用Trench MOSFET技术，专为低电压和高效率应用设计。该器件采用小型DFN封装，适用于需要空间节省和高效能的便携式电子设备。
类型：P沟道MOSFET
漏极电流（Id）：最大1.5A
漏极-源极击穿电压（Vds）：-20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：约0.16Ω @ Vgs = -4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN1006
BAT54STB-AU_R1_000A1 具备低导通电阻的特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从-12V到+12V的输入，使其适用于多种控制电路设计。
此外，该MOSFET的DFN封装形式具有良好的热性能，能够在紧凑的PCB布局中提供出色的散热能力。其小型化设计非常适合用于电池供电设备、负载开关、电源管理模块以及便携式消费电子产品。
这款MOSFET还具备良好的抗静电能力和高可靠性，确保在复杂的工作环境中稳定运行。其P沟道结构使其在低电压应用中具有快速开关能力和较低的开关损耗。
BAT54STB-AU_R1_000A1 主要用于便携式电子设备、电源管理模块、负载开关、电池供电系统、DC-DC转换器以及各类低电压控制系统。该器件也可用于工业控制、通信设备以及汽车电子中的辅助电源管理单元。
SI2302, AO3401, FDN340P
