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W632GG6KB-11 发布时间 时间:2025/8/21 3:08:03 查看 阅读:7

W632GG6KB-11是一款由Winbond(华邦电子)生产的高性能、低功耗的NOR Flash存储器芯片。该器件适用于需要快速启动和高可靠性存储的应用场景,广泛用于通信设备、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中。

参数

容量:256Mbit(32MB)
  电压范围:2.3V至3.6V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  读取速度:104MHz
  擦除和写入速度:自动定时控制
  擦除块大小:可变块擦除(包括4KB小块和大块擦除)

特性

W632GG6KB-11具有多项先进特性,使其在复杂应用环境中表现出色。首先,其SPI接口设计提供了高速数据传输能力,同时减少了引脚数量,简化了PCB布局。其次,该芯片支持多种读写模式,包括单线、双线和四线模式,以满足不同系统的性能需求。
  该NOR Flash还具备低功耗设计,适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。其内建的擦写控制器支持自动擦除和写入操作,并提供错误检测与纠正功能,提高了数据的完整性与可靠性。
  此外,W632GG6KB-11支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护、一次性可编程(OTP)区域,以及锁定寄存器保护,防止未经授权的数据访问和修改。这些特性使其在安全性要求较高的应用场景中具备优势。

应用

该芯片广泛应用于需要快速启动和高可靠性的嵌入式系统中,例如路由器、交换机、智能电表、工业控制器、车载信息娱乐系统(IVI)、医疗设备和可穿戴设备等。其SPI接口的灵活性也使其成为需要外部代码存储和数据存储的理想选择。

替代型号

W25Q256JV-IM
   MX25U25673F
   S25FL256S
   N25Q256A

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W632GG6KB-11参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-WBGA(9x13)