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H9CCNNNBLTALAR 发布时间 时间:2025/9/1 22:03:30 查看 阅读:7

H9CCNNNBLTALAR 是三星(Samsung)生产的一款LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片,专为低功耗、高性能的应用场景设计,常见于移动设备、嵌入式系统、平板电脑和智能电视等产品中。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具备较高的集成度和较低的功耗,支持高速数据传输。

参数

容量:8GB(64bit)
  电压:1.1V(VDD/VDDQ)
  封装:153-ball FBGA
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口:LPDDR4X
  时钟频率:最高可达4266Mbps
  数据速率:4266Mbps
  数据宽度:64位

特性

H9CCNNNBLTALAR 作为一款LPDDR4X SDRAM芯片,具备多项先进的性能和特性。首先,它采用了低电压设计(1.1V),显著降低了功耗,这对于电池供电设备来说至关重要,有助于延长设备的续航时间。
  其次,该芯片的数据传输速率最高可达4266Mbps,提供了极高的带宽,满足了高性能处理器对内存带宽的高要求,适用于图像处理、视频解码和复杂计算等任务。此外,LPDDR4X接口标准相比前代LPDDR4,在功耗和信号完整性方面进行了优化,进一步提高了能效。
  在封装方面,H9CCNNNBLTALAR 使用了153-ball FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,这种封装方式不仅提高了封装密度,还增强了信号传输的稳定性和可靠性,适用于空间受限的便携式设备。
  该芯片还支持多种节能模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电电源下降模式,能够在不同的使用场景下动态调整功耗,进一步延长设备的电池寿命。

应用

H9CCNNNBLTALAR 主要应用于高性能移动设备和嵌入式系统,例如智能手机、平板电脑、智能电视、汽车电子系统以及便携式游戏设备。由于其高带宽、低功耗和紧凑封装的特点,它特别适合用于搭载高性能应用处理器的设备,如搭载ARM架构处理器的设备,以及需要快速图形处理和多任务处理能力的系统。
  在智能手机领域,H9CCNNNBLTALAR 可作为主内存(RAM),为系统提供快速的数据存取能力,提升整体运行速度和响应性能。在智能电视和流媒体设备中,该内存芯片能够支持高分辨率视频解码和流畅的用户界面体验。
  此外,H9CCNNNBLTALAR 也可用于车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),为复杂的图形处理和实时数据计算提供强大的内存支持。

替代型号

[
   "H9CCNNNCTMUMRX",
   "H9CCNNNBLTALFR",
   "H9CCNNNCLTAMRX",
   "H9CCNNNBLTAMRQ"
  ]

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