BAT43W S8 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双肖特基势垒二极管(Dual Schottky Barrier Diode)。该器件采用S8表面贴装封装,适用于高频和低电压应用。BAT43W S8 主要用于保护电路、信号隔离、逻辑门电路以及需要低正向压降和快速恢复时间的场合。该器件具有两个独立的二极管,通常用于实现OR逻辑功能或防止反向电流流动。
类型:双肖特基二极管
正向电流(最大):100mA
反向电压(最大):30V
正向压降(典型值):0.35V(在10mA时)
反向漏电流(最大):100nA(在25°C时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:S8(表面贴装)
引脚数:3
功率耗散:300mW
BAT43W S8 采用肖特基势垒技术,具有较低的正向压降,通常在10mA电流下仅为0.35V,这使得它在低电压应用中表现优异。该器件的快速恢复时间(Reverse Recovery Time)极短,几乎可以忽略不计,这使其非常适合用于高频开关电路。此外,BAT43W S8 的双二极管结构允许它在多个电路中并行使用,例如在电源管理电路中实现OR逻辑功能或防止电源倒灌。
该器件的封装采用S8标准,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局。S8封装具有良好的热性能,能够在较高的环境温度下稳定工作。BAT43W S8 还具有良好的温度稳定性,其电气特性在宽温度范围内保持稳定,适用于工业级和汽车级应用。
由于其低正向压降和快速响应特性,BAT43W S8 在电池供电设备中特别有用,能够有效减少能量损耗,提高整体效率。此外,该器件的反向漏电流非常低,在25°C时最大为100nA,确保了在高阻抗电路中的稳定性。
BAT43W S8 常用于各种电子设备中,尤其是在需要低正向压降和快速恢复特性的应用中。典型应用包括:逻辑门电路中的信号隔离、电源管理中的OR电路、防止反向电流流动的保护电路、RF解调电路、以及高频整流应用。
在电源管理方面,BAT43W S8 可用于多电源系统的自动切换,例如在主电源和备用电源之间进行无缝切换,确保系统持续运行。在汽车电子系统中,该器件可用于保护电路免受反向电压的影响,确保车载电子设备的安全运行。
此外,BAT43W S8 还广泛应用于消费类电子产品,如便携式设备、无线通信模块、传感器接口电路等,以提高能效和稳定性。
BAT54S, BAT42W, 1N5819