RURP820 时间：2025/12/29 14:25:24 阅读：20

RURP820 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压以及良好的热稳定性，适用于如DC-DC转换器、电源管理模块、工业自动化设备、电机驱动和电池充电系统等多种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.2mΩ（典型值可能为7.5mΩ）
　　最大功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2.0V至4.0V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V

特性

RURP820 MOSFET具备多个显著的技术特性，首先其采用了先进的沟槽结构设计，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达160A，适合大功率应用需求。同时，其高耐压能力（200V）使其能够在高压环境下稳定工作，增强了系统的可靠性和安全性。
　　在热性能方面，RURP820采用高导热封装设计，能够有效散热，确保在高功率密度应用中仍能维持良好的工作温度。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽泛（±20V），便于与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在异常工况下保护自身不被损坏，从而提升整个系统的稳定性。此外，RURP820具有快速开关特性，能够降低开关损耗，适用于高频开关电源应用，如PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振转换器和同步整流器等。

应用

RURP820 MOSFET广泛应用于各类高功率、高效率的电源系统中。例如，在通信设备的电源模块中，该器件可用于DC-DC转换器的主开关，实现高效的电压转换；在服务器和数据中心的电源供应单元（PSU）中，RURP820可作为同步整流器或PFC开关，提高能源利用效率。
　　此外，该MOSFET也常用于工业自动化控制设备中的电机驱动电路，提供高电流输出能力与低损耗性能。在电动汽车和充电桩系统中，RURP820可用于电池管理系统（BMS）或DC-AC逆变器中的功率开关，确保稳定可靠的高功率输出。
　　其他典型应用还包括太阳能逆变器、储能系统、UPS不间断电源、高频感应加热设备以及高功率LED照明驱动电路等，适用于需要高可靠性和高效能的复杂电子系统。