BAS70SW 是一款由恩智浦(NXP)半导体公司推出的双通用硅小信号开关二极管阵列。该器件采用先进的硅外延工艺制造,专为高频、高速开关应用而设计。BAS70SW 内部包含两个独立的二极管,它们共享一个公共阴极,适合用于需要快速切换和低电容特性的电路中。该器件广泛应用于通信系统、射频(RF)电路、信号检测、电压钳位、逻辑门电路以及各种保护电路中。
类型:双二极管阵列
正向电流(IF):100 mA
反向电压(VR):70 V
正向压降(VF):1.25 V @ 10 mA
反向漏电流(IR):100 nA @ 70 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:SOT-363(6引脚TSSOP)
结电容(Cj):5 pF @ 0 V, 1 MHz
反向恢复时间(trr):5 ns
BAS70SW 的主要特性之一是其高反向电压能力,达到70 V,使其能够在中高压开关应用中可靠运行。该器件的两个二极管具有独立的阳极和共阴极连接,提供了灵活的电路设计能力。其快速的反向恢复时间(trr)仅为5 ns,适用于高频和高速切换应用,例如射频信号切换和逻辑控制电路。此外,BAS70SW 的低结电容(5 pF)确保了在高频环境下对信号的最小干扰,提高了电路的响应速度和稳定性。
该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下依然能保持稳定的性能。其SOT-363封装形式具有小型化和轻量化的优点,适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB设计。此外,BAS70SW 的低正向压降(1.25 V @ 10 mA)有助于降低功耗,提高能效,适用于对功耗敏感的应用场景,如电池供电设备和低功耗控制系统。
BAS70SW 主要应用于通信设备、射频信号处理、逻辑门控制、电压钳位与保护电路、信号检测、高速开关电路等领域。其双二极管结构和快速响应特性使其特别适合用于数字逻辑电路中的输入/输出隔离、信号切换以及电平转换。在射频系统中,该器件可用于天线切换、信号路径选择以及功率放大器保护电路。此外,BAS70SW 还广泛用于消费类电子产品、工业自动化控制系统、汽车电子模块以及各种便携式设备中的高速开关和信号整流应用。
BAS70-04W, BAS70-06W, BAT54S, BB131