时间：2025/12/29 14:22:39
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HGTP20N60C3是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的开关电路中。该器件采用TO-247封装形式，适用于多种工业、汽车和消费类电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏极-源极电压：600V
导通电阻：典型值0.23Ω
栅极电荷：120nC
最大功耗：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
HGTP20N60C3的主要特性包括高耐压能力（600V），适合于高电压应用；低导通电阻（0.23Ω）有助于减少导通损耗，提高效率；该器件的栅极电荷较低，使其适用于高频开关应用；封装形式为TO-247，便于散热，能够承受较高的热应力；此外，HGTP20N60C3具有良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
在性能方面，HGTP20N60C3表现出优异的导通和开关特性，能够在高电压和高电流条件下保持稳定的运行状态。其高耐压能力和低导通电阻的结合，使其成为高效能电源转换和电机控制应用的理想选择。此外，该器件还具备较强的抗过载能力和短路保护能力，进一步增强了其在关键应用中的可靠性。
HGTP20N60C3广泛应用于多种高功率电子系统中，例如工业电源、电机驱动器、电动车充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）以及各种高电压控制电路。由于其优异的导通特性和高耐压能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换和管理应用。
FGA20N60SNDG, FQP20N60C
