型号：BAS70BRW-7-F
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-363 (SC-88)
　　二极管配置：双共阴极
　　最大重复反向电压(VR)：70V
　　最大正向电流(IF)：200mA
　　峰值脉冲电流(IFSM)：500mA
　　正向电压降(VF)：1.0V @ 10mA, 25°C
　　反向漏电流(IR)：5μA @ 70V, 25°C
　　反向恢复时间(trr)：4ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散(PD)：250mW

BAS70BRW-7-F的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体接触形成势垒，显著降低了正向导通电压，通常在1.0V以下（典型值约为0.85V至0.95V），相比传统的PN结二极管具有更低的功耗和更高的效率。这一优势在电池供电设备中尤为重要，能够有效延长续航时间。同时，由于肖特基二极管本质上是非少数载流子器件，几乎不存在少子存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为4ns，这使得它非常适合用于高频开关应用，如开关电源中的续流二极管、高速逻辑电路中的钳位保护以及射频信号检波等场景。
　　另一个重要特性是其双共阴极配置，即两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子。这种结构在实际应用中非常灵活，可用于构建OR-ing电路、输入信号隔离或多路信号合并等功能。例如，在多电源系统中，利用共阴极结构可以实现电源冗余切换；在数字接口电路中，可用于防止反向电流流动或进行电平移位。此外，SOT-363封装仅有6个引脚，体积小巧（约2.0mm × 1.25mm × 0.95mm），非常适合自动化贴片生产，且有助于提高PCB的空间利用率。
　　该器件还具备出色的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适用于严苛环境下的工业与汽车电子应用。其低反向漏电流（典型值5μA @ 70V）保证了在高阻抗电路中的信号完整性，避免不必要的功耗和误触发。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是相对较高的反向漏电和较低的反向耐压，但BAS70BRW-7-F在70V的VR指标上达到了良好平衡，既满足了大多数低压系统的安全裕度需求，又保持了优异的开关性能。综合来看，这些特性使该器件成为高性能、小型化电子系统中不可或缺的基础元件。

BAS70BRW-7-F因其高频响应能力和小型封装，被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元，作为DC-DC转换器中的续流二极管或防反接保护元件，帮助提升能效并减少发热。在通信接口电路中，如USB、I2C、SPI等信号线上，该器件可用于静电放电（ESD）保护和信号钳位，防止瞬态高压损坏敏感的逻辑芯片。其快速响应特性也使其适用于高频信号检波电路，例如在无线遥控接收模块或红外信号解码中用作整流元件。
　　在工业控制领域，BAS70BRW-7-F可用于PLC输入输出模块的信号调理电路，对传感器信号进行整形和保护。其共阴极结构特别适合构建双通道信号隔离电路，防止通道间串扰。在电机驱动电路中，它可以作为H桥驱动中的续流路径，吸收感性负载产生的反电动势，保护MOSFET或IGBT等开关器件。此外，在LED驱动和背光控制电路中，该二极管可用于防止电流倒灌，确保系统稳定运行。
　　在汽车电子方面，尽管该器件未明确标注为AEC-Q101认证产品，但仍可用于部分非关键车载系统，如车内照明控制、信息娱乐系统的电源切换和信号保护。其宽温工作能力和可靠性也支持其在户外监控设备、智能家居网关和物联网节点等环境中长期稳定运行。总体而言，BAS70BRW-7-F凭借其多功能性和高集成度，已成为现代电子设计中广泛应用的基础型分立器件。

BAS70-04W-7-F
　　BAS70B-04-7-F
　　MBRS340T1G
　　SOD323-2R