类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　最大正向电流（IF）：200 mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500 mA
　　最大反向电压（VR）：70 V
　　最大正向电压（VF）：@ IF = 10 mA 时典型值为 0.35 V；最大值为 0.45 V @ IF = 20 mA
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 70 V, TA = 25°C 时典型值小于 0.1 μA；高温下（125°C）不超过 10 μA
　　反向恢复时间（trr）：典型值为 4 ns，确保高速开关能力
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：约 450 K/W（标准FR4板）

BAS7005W的核心特性之一是其采用肖特基势垒结构，这使得它在正向导通时表现出极低的电压降，通常在10mA工作电流下仅为0.35V左右，显著低于传统PN结二极管的0.7V水平。这一特性极大地降低了功耗，提高了能源利用效率，尤其适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。同时，低VF意味着更少的热量产生，有助于提升系统的热稳定性和长期可靠性。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度非常快，反向恢复时间（trr）典型值仅为4ns，远优于普通整流二极管，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，适用于高频信号处理和高速数字逻辑接口中的瞬态响应需求。
　　另一个关键优势是其集成化的双二极管共阴极配置，这种结构特别适用于输入信号双向钳位、电源轨保护以及I/O端口的静电放电（ESD）防护。例如，在微控制器GPIO引脚或ADC输入通道前使用该器件，可以有效防止过压事件损坏核心IC。其高达70V的最大反向耐压能力提供了足够的安全裕度，即使在存在电压尖峰的恶劣电气环境中也能可靠运行。同时，器件在高温条件下的反向漏电流控制优异，在125°C时仍能保持低于10μA的水平，避免了因漏电增大而导致的信号失真或功耗上升问题，确保系统在极端环境下的稳定性。
　　BAS7005W还具备出色的温度适应性，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，满足严苛工业和汽车应用的需求。其SOT-363封装尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，节省宝贵的PCB空间，便于实现小型化设计。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其在机械强度、温度循环、湿度敏感度等方面均达到汽车级质量标准，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块等场景。生产方面，器件符合RoHS和REACH环保规范，不含铅和有害物质，支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，有助于提高良率和降低制造成本。

BAS7005W广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高频响应、低功耗和小尺寸封装的场合。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号整流与电平转换电路。在这些设备中，该器件常被用于USB接口、I2C总线、GPIO保护等位置，提供快速响应的过压保护和噪声抑制功能。此外，在无线通信模块中，BAS7005W可用于射频前端的偏置电路或检波器部分，凭借其低正向压降和高速特性，有效提升信号完整性。
　　在工业控制领域，该器件适用于PLC输入输出模块、传感器信号调理单元以及编码器接口电路，用于防止感应负载引起的反电动势损坏主控芯片。其高反向耐压能力和低温漏电流特性使其能在复杂电磁环境下稳定运行。在汽车电子中，BAS7005W可用于车身控制系统、车内照明驱动、CAN/LIN总线保护节点以及电池管理系统（BMS）中的电压监测路径，提供可靠的信号隔离与瞬态抑制功能。
　　此外，该器件也常用于电源管理电路中的OR-ing二极管、备份电源切换、反向极性保护等拓扑结构。例如，在双电源冗余供电系统中，两个BAS7005W可构成共阴极整流桥，自动选择较高电压源为系统供电，防止电流倒灌。其快速恢复特性还能有效抑制电源切换过程中的电压跌落和振荡现象。总之，BAS7005W凭借其高性能、高可靠性和小封装优势，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAS70-05W, PMST3946, SMBJ3.3A, BZT52C3V3