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16MXC22000MEFCSN30X30 发布时间 时间:2025/9/8 2:24:39 查看 阅读:28

16MXC22000MEFCSN30X30是一种高性能的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,专为需要高速数据访问和低延迟的应用而设计。该芯片由Microchip Technology生产,适用于各种高端工业、通信和计算设备。其主要特点包括高速读写操作、低功耗设计和高可靠性。

参数

容量:2 Mbit
  组织方式:16MXC22000MEFCSN30X30的组织方式为16M x 16
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:最大30 ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:165-BGA
  接口类型:并行接口
  读取电流:典型值为200 mA
  待机电流:典型值为10 mA

特性

16MXC22000MEFCSN30X30 SRAM芯片具备多项优异特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其高速访问时间(最大30 ns)确保了快速的数据读写操作,适用于需要实时处理的系统。此外,芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其适用于多种电源管理系统。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种工业环境中运行。封装采用165-BGA形式,不仅节省空间,还提高了封装的可靠性和散热性能。16MXC22000MEFCSN30X30还具备低待机电流特性,有助于降低整体功耗,适用于需要节能设计的设备。
  此外,该SRAM芯片提供并行接口,支持高效的并行数据传输,特别适用于高速缓存、缓冲存储器和嵌入式系统的应用。其高可靠性和稳定性使其成为通信设备、工业自动化和高端计算设备的理想选择。

应用

16MXC22000MEFCSN30X30 SRAM芯片广泛应用于需要高性能存储的场合。典型应用包括路由器、交换机、服务器和高端计算设备中的高速缓存。此外,该芯片也适用于工业自动化设备、测试测量仪器以及通信基础设施设备,其中要求快速数据存取和低延迟操作。
  在嵌入式系统中,16MXC22000MEFCSN30X30可用于需要高速存储器支持的微处理器或FPGA系统中,作为快速数据缓冲和临时存储。其低功耗和高可靠性也使其适用于便携式工业设备和边缘计算设备。

替代型号

16MXC22000MEFCSN30X30的替代型号包括16MXC22000MEFCSN25X30(访问时间25 ns)和16MXC22000MEFCSN35X30(访问时间35 ns),根据具体应用的性能需求进行选择。

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16MXC22000MEFCSN30X30参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥25.92300散装
  • 系列MXC
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电容22000 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 3000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流3.36 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流3.864 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距0.394"(10.00mm)
  • 大小 / 尺寸1.181" 直径(30.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)1.260"(32.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can - 卡入式