BAS70 RF 时间：2025/8/14 16:19:18 阅读：5

BAS70 RF 是一款广泛应用于射频（RF）电路中的小信号开关二极管，属于硅基半导体器件。该器件设计用于高频信号切换、检波和混频等应用，具有快速开关特性和低电容特性。BAS70 RF 特别适用于通信设备、无线模块、射频识别（RFID）、测试仪器以及其他需要高频性能的电子系统。

参数

类型：硅二极管
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：70 V
　　反向击穿电压（VBR）：最小70 V
　　正向压降（VF）：最大1.25 V @ 10 mA
　　反向漏电流（IR）：最大100 nA @ 25°C
　　结电容（Cj）：最大1 pF @ 0 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23、SOD-523、SOT-323 等

特性

BAS70 RF 二极管的主要特性之一是其低结电容，这使得它在高频电路中表现出色，能够有效减少信号损耗和失真。其快速恢复时间（通常小于4 ns）确保了在高频开关应用中的稳定性能。此外，该器件具有较高的反向击穿电压（70 V），能够在较高的电压环境下稳定运行，适用于多种射频前端电路。
　　该二极管还具有良好的热稳定性和低功耗特性，适用于便携式设备和电池供电系统。由于其小封装设计（如SOT-23和SOD-523），BAS70 RF 在PCB布局中占用空间小，适合高密度电路设计。此外，其材料符合RoHS环保标准，适合现代电子产品制造需求。
　　在射频应用中，BAS70 RF 可作为开关元件用于控制信号路径，也可用于检波器、混频器和调制解调器等电路中。其性能稳定，适合宽频率范围的使用，通常应用于GHz级别的通信系统。