时间：2025/8/14 23:49:03
阅读：7
BAS40CW_R1_00001 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中，用于高效地进行功率控制和开关操作。该器件采用小尺寸封装设计，适合对空间要求较高的应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-723
导通电阻（Rds(on)）：最大值为 3.5Ω（在 Vgs=10V）
BAS40CW_R1_00001 具有低导通电阻，确保了在高电流负载下能够以较低的功率损耗进行高效工作。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备等需要节能设计的应用中。此外，该 MOSFET 采用了高可靠性的封装技术，能够承受较大的温度变化范围，从而保证了在严苛环境下的稳定运行。
该器件还具有快速开关特性，使得在高频操作中能够降低开关损耗并提高系统效率。SOT-723 的小型封装设计不仅节省了电路板空间，也简化了电路设计和组装流程。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够有效防止过热导致的性能下降，从而延长了使用寿命。
ROHM 的 BAS40CW_R1_00001 还具有出色的抗静电能力（ESD 保护），能够有效抵御静电放电带来的潜在损坏，提升了产品的整体可靠性。这种特性使其在消费电子、工业控制、汽车电子等领域具有广泛的应用前景。
BAS40CW_R1_00001 主要用于便携式电子产品中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也适用于各种传感器控制电路、LED 驱动器、电机控制电路以及小型 DC-DC 转换器等应用场景。
在工业控制领域，该 MOSFET 可用于自动化设备中的继电器替代、负载开关控制以及信号处理电路中。在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块、车载娱乐系统、照明控制和车载充电器等应用。
由于其小尺寸和高性能特性，BAS40CW_R1_00001 也非常适合用于物联网（IoT）设备中，作为低功耗传感器节点或无线通信模块的开关元件。
Si2302DS, 2N7002K, BSS138
