时间：2025/8/2 6:52:12
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SIA413ADJ-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的P沟道增强型MOSFET，适用于各种高功率应用。这款MOSFET以其高效率和低导通电阻而闻名，广泛用于电源管理、负载开关和电机控制等电路中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流：-4.1A
最大漏极-源极电压：-20V
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大）
栅极电荷：7.5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
安装类型：表面贴装
SIA413ADJ-T1-GE3的主要特性包括低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。其封装设计紧凑，适合空间受限的设计。该器件还具有良好的热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。此外，它的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。该器件的可靠性高，能够在各种苛刻的环境条件下工作，适合工业和汽车应用。
另一个重要的特性是其高耐压能力，漏极-源极电压达到-20V，使其适用于多种电源管理应用。此外，SIA413ADJ-T1-GE3的快速开关特性使其适合用于高频应用，如DC-DC转换器和马达驱动器。其封装形式为TSOP，适合自动化装配，提高了生产效率。
SIA413ADJ-T1-GE3广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理系统、负载开关、电池供电设备、DC-DC转换器以及电机控制电路。由于其优良的性能和可靠性，该器件也常用于工业自动化设备、消费电子产品和汽车电子系统中。
Si4435BDY-T1-GE3, IRML6401, FDS6680, AO4406A
