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GA1206Y821MXABR31G 发布时间 时间:2025/6/17 11:46:30 查看 阅读:4

GA1206Y821MXABR31G 是一款高性能的存储类电子元器件芯片,通常用于数据存储和管理。该型号基于先进的半导体制造工艺,提供高容量、高速度和低功耗的特点,适合应用于嵌入式系统、消费电子和工业控制等领域。
  此芯片属于非易失性存储器类别,能够在断电后保留数据,广泛适用于需要频繁读写操作且对可靠性要求较高的场景。

参数

封装:BGA
  存储容量:128Mb
  工作电压:1.8V
  接口类型:SPI
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  数据保持时间:20年
  擦写次数:100,000次

特性

GA1206Y821MXABR31G 具有以下主要特性:
  1. 高速 SPI 接口支持高达 108MHz 的时钟频率,从而实现快速的数据传输。
  2. 内置 ECC(错误校正码)引擎,能够自动检测并纠正数据错误,提高数据完整性。
  3. 支持 Quad SPI 模式,进一步提升数据吞吐量。
  4. 小尺寸 BGA 封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 提供多种省电模式,如深度掉电模式,以降低功耗。
  6. 具备扇区保护功能,防止未经授权的访问或修改。
  7. 宽温范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。

应用

GA1206Y821MXABR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 嵌入式设备中的固件存储,例如路由器、智能家居控制器等。
  2. 工业自动化系统中的数据记录和配置信息保存。
  3. 消费电子产品中的多媒体文件存储,如数码相机、便携式音频播放器等。
  4. 医疗设备中的关键数据存储,保证长期可靠性和准确性。
  5. 物联网 (IoT) 设备中的程序代码和用户数据存储。

替代型号

GA1206Y821MXABR21G
  GA1206Y821MXABR41G

GA1206Y821MXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-