GA1206Y821MXABR31G 是一款高性能的存储类电子元器件芯片,通常用于数据存储和管理。该型号基于先进的半导体制造工艺,提供高容量、高速度和低功耗的特点,适合应用于嵌入式系统、消费电子和工业控制等领域。
此芯片属于非易失性存储器类别,能够在断电后保留数据,广泛适用于需要频繁读写操作且对可靠性要求较高的场景。
封装:BGA
存储容量:128Mb
工作电压:1.8V
接口类型:SPI
工作温度范围:-40℃至+85℃
数据保持时间:20年
擦写次数:100,000次
GA1206Y821MXABR31G 具有以下主要特性:
1. 高速 SPI 接口支持高达 108MHz 的时钟频率,从而实现快速的数据传输。
2. 内置 ECC(错误校正码)引擎,能够自动检测并纠正数据错误,提高数据完整性。
3. 支持 Quad SPI 模式,进一步提升数据吞吐量。
4. 小尺寸 BGA 封装设计,节省 PCB 空间。
5. 提供多种省电模式,如深度掉电模式,以降低功耗。
6. 具备扇区保护功能,防止未经授权的访问或修改。
7. 宽温范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
GA1206Y821MXABR31G 广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式设备中的固件存储,例如路由器、智能家居控制器等。
2. 工业自动化系统中的数据记录和配置信息保存。
3. 消费电子产品中的多媒体文件存储,如数码相机、便携式音频播放器等。
4. 医疗设备中的关键数据存储,保证长期可靠性和准确性。
5. 物联网 (IoT) 设备中的程序代码和用户数据存储。
GA1206Y821MXABR21G
GA1206Y821MXABR41G