类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极-发射极电压：5V
　　最大工作频率：250MHz
　　增益带宽积：100MHz
　　封装类型：SOT-23

BAS40-R1-00001晶体管具备多项显著特性，适用于高性能射频电路和通用放大应用。其高频响应能力高达250MHz，使其在射频信号放大和混频器电路中表现出色。该晶体管的增益带宽积为100MHz，确保在高频操作下仍能提供稳定的放大增益。此外，其最大集电极电流为100mA，能够在低功率应用中提供足够的电流驱动能力。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为30V，具有较高的电压耐受能力，适用于多种电源配置和信号处理应用。基极-发射极电压限制为5V，确保在数字控制电路中安全运行，防止过压损坏。
　　采用SOT-23封装形式，BAS40-R1-00001具有较小的体积，便于在空间受限的电路板上安装。该封装还具备良好的热性能，有助于在连续工作状态下保持稳定。由于其标准化封装和电气特性，该晶体管可与其他类似封装的晶体管兼容，便于替换和升级。
　　在稳定性方面，BAS40-R1-00001经过优化设计，具有较低的噪声系数和良好的温度稳定性，适用于射频接收机前端、信号放大器和低噪声放大电路。

BAS40-R1-00001广泛应用于射频通信系统、无线模块、射频放大器和开关电路。其高频性能使其成为射频收发器、调制解调器和无线传感器网络中的关键组件。此外，该晶体管也适用于音频放大器、信号调理电路和数字逻辑开关应用。在汽车电子、工业控制和消费电子产品中，BAS40-R1-00001常用于低功率信号放大和数据传输。

BAS40-R1-00001的替代型号包括BC847、2N3904和BFQ59。这些晶体管在电气特性和封装上相近，适合在相似应用场景中使用。