时间：2025/5/7 9:41:33
阅读：7
FDA16N50LDTU 是一款基于先进的超结技术的 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理应用。其优化的设计使其在高效率和紧凑型设计中表现出色。
这款功率 MOSFET 的额定电压为 500V，能够承受较高的漏源电压，同时保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：500V
最大漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷（典型值）：23nC
输入电容（典型值）：900pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FDA16N50LDTU 使用了先进的超结技术，实现了低导通电阻与高击穿电压的结合。它具有极低的开关损耗和高能效表现，非常适合高频开关应用场景。
此外，该器件具备优异的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。它的封装设计进一步增强了散热性能，使得该 MOSFET 在高功率密度的应用场合下依然能够保持高效和稳定的工作状态。
FDA16N50LDTU 的快速开关特性减少了电磁干扰（EMI），并允许使用更小的无源元件，从而降低整个系统的成本和尺寸。综合来看，这是一款兼具高性能和经济性的功率 MOSFET。
FDA16N50LDTU 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换场景中，例如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- PFC（功率因数校正）电路
- 电机驱动
- 工业控制
- 太阳能逆变器
由于其高耐压能力和低导通损耗，该器件特别适合于要求严苛的工业和汽车环境。
FDZ16N50LDTU
IRFP460
FQA16P50E
