BAS40-7-G 时间：2025/12/26 12:20:45 阅读：21

BAS40-7-G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于低压、高频开关场合。该器件采用SOD-323（SC-90）小型封装，具有极低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，适用于高效率电源转换和信号整流等场景。BAS40-7-G的命名中，“BAS”代表其系列名称，“40”表示其电特性等级，“-7”通常指卷带包装，“G”代表符合RoHS环保标准。该二极管特别适合在空间受限的便携式电子设备中使用，例如智能手机、平板电脑、无线模块以及各种消费类电子产品。其结构设计优化了热性能和电气性能，在保证高可靠性的同时实现了低功耗运行。由于其出色的高频响应能力，BAS40-7-G常被用于高频整流、极性保护、电压钳位和逻辑电平转换等电路中。此外，该器件对静电不敏感，具备一定的抗干扰能力，适合自动化贴片生产流程。作为一款成熟的工业级产品，BAS40-7-G的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，满足大多数严苛的应用环境要求。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-90）
　　极性：单路二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA（8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：500mV @ 100mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 40V, 25°C；500μA @ 40V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

BAS40-7-G的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体接触形成整流效应，而非传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降。在100mA电流下，其典型正向压降仅为450mV，最大不超过500mV，这一特性使其在低电压、小电流应用中表现出极高的能效，有效减少系统发热并提升整体效率。相比普通硅二极管约700mV的压降，BAS40-7-G在电池供电设备中可延长续航时间。该器件的反向恢复时间极短，仅为4ns，这意味着它能够在高频开关电路中迅速完成从导通到截止的状态切换，避免产生较大的反向恢复电流尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）并提高电源转换效率。这对于DC-DC转换器、开关电源中的续流或防倒灌电路至关重要。
　　BAS40-7-G的SOD-323封装尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm，体积小巧，非常适合高密度PCB布局，尤其适用于便携式电子设备中对空间要求极为严格的场景。其表面贴装设计兼容自动化回流焊工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平，尽管在125°C时最大反向漏电流可达500μA，但在大多数实际应用中仍处于可接受范围。其40V的反向耐压能力足以应对多数低压系统的瞬态过压情况，如USB接口保护、微控制器I/O钳位等。此外，BAS40-7-G通过了严格的工业标准认证，包括无铅和符合RoHS指令，适用于绿色环保电子产品制造。其宽泛的工作温度范围也确保了在极端环境下的长期可靠运行。

应用

BAS40-7-G因其优异的高频特性和低功耗表现，被广泛应用于各类电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品的电源管理电路，如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备中的电池充放电路径隔离与防反接保护。在DC-DC升压或降压转换器中，它常被用作续流二极管（flyback diode），利用其快速反向恢复能力和低正向压降来提高转换效率并减少能量损耗。此外，在信号整流和检波电路中，BAS40-7-G能够精确处理高频小信号，适用于射频前端模块和无线通信单元。它还经常出现在微控制器单元（MCU）的GPIO引脚保护电路中，用于将电压钳位在安全范围内，防止因过压或静电放电（ESD）造成芯片损坏。在多电源系统中，该二极管可用于电源选择或优先级控制，实现自动切换主辅电源。其他应用场景还包括LED驱动电路中的电流隔离、传感器接口的信号调理、以及各类嵌入式系统中的电压采样与反馈回路。由于其封装小型化且性能稳定，BAS40-7-G也是工业控制、汽车电子（非引擎舱）、医疗设备和物联网终端中的理想选择。