51FXV-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装红外线发射二极管(Infrared Emitting Diode),主要用于需要高效率红外光源的应用场景。该器件采用透明环氧树脂封装,具有优异的辐射强度和稳定的光电性能,适用于多种工业、消费类电子及通信设备中的红外信号传输。其小型化设计使其非常适合在空间受限的电路板上使用,并具备良好的焊接可靠性和耐热性。器件符合 RoHS 指令要求,标有 (LF) 表示无铅(Lead-Free),(SN) 可能代表卷带包装形式,适合自动化贴片生产流程。该型号工作于近红外波段,典型发射波长为 940nm,能够与多种硅基光电探测器良好匹配,实现高效的光信号接收。
制造商:Vishay Semiconductors
产品类型:红外发射二极管
封装/外壳:表面贴装,ChipLED
波长类型:峰值波长
峰值波长:940 nm
正向电压(VF):1.35 V(典型值)
正向电流(IF):20 mA
辐射强度(Iv):30 mW/sr(最小值)
视角:±17°
工作温度范围:-40°C ~ +100°C
存储温度范围:-40°C ~ +100°C
反向电压(VR):5 V
功率耗散:100 mW
51FXV-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 具备出色的辐射强度和稳定的光电输出特性,能够在低驱动电流下提供高效的红外光发射,适用于对功耗敏感的应用环境。其芯片结构采用先进的 GaAlAs(镓铝砷)材料体系,实现了高亮度和长寿命的结合。该器件在制造过程中采用了精密的模压成型技术,确保了光学指向性和聚焦性能的一致性,提升了系统整体的信噪比。封装材料具有优异的抗紫外线老化能力,可在长时间运行中保持透光率稳定,避免因黄变或开裂导致的性能衰减。
该红外发射二极管支持高速调制,响应时间短,上升和下降时间均在纳秒级别,因此非常适合用于红外遥控、数据通信等需要快速开关操作的场合。其表面贴装封装形式不仅节省PCB空间,还提高了组装效率和机械可靠性,尤其适合回流焊工艺。器件的低正向电压特性有助于降低系统功耗,提升电池供电设备的续航能力。此外,该型号具备良好的温度稳定性,在宽温范围内仍能维持恒定的发光强度,减少了外部补偿电路的设计复杂度。
由于其紧凑的尺寸和高性能表现,51FXV-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 被广泛应用于便携式设备、智能家居控制系统、工业传感器以及安防监控系统的红外照明模块中。它还能与其他标准接收元件如 IR 接收头 PIN 二极管或光耦配合使用,构建完整的红外通信链路。整体设计兼顾了可靠性、效率与成本控制,是现代红外发射应用中的理想选择之一。
该器件广泛应用于红外遥控器、近距离无线数据传输、光电开关、接近传感器、液位检测、自动感应设备(如自动水龙头、干手器)、烟雾探测器、工业自动化控制系统以及智能家电中的红外通信模块。此外,也适用于需要隐蔽式照明或夜视辅助的安防摄像头红外补光场景。
VSMY9843X01,VEMD8080,XL6003-01SR