2SK3290BNTL是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):150V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(最大值)
功率耗散(Pd):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
2SK3290BNTL具有多项优秀的电气和热性能。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其次,该器件的高漏源电压(Vds)能力为150V,使其适用于中高压功率转换应用。此外,2SK3290BNTL的栅源电压(Vgs)为20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,可与常见的驱动电路配合使用。
该MOSFET的连续漏极电流为4A,适用于多种中等功率应用,如电源适配器、DC-DC转换器和电机控制电路。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于在PCB上安装和散热片的连接。
另外,2SK3290BNTL的工作温度范围为-55°C至150°C,确保了其在极端环境下的稳定性和可靠性。这种宽温度范围特性使其适用于工业控制、汽车电子和户外设备等对环境适应性要求较高的应用场景。
2SK3290BNTL主要应用于电源管理、功率转换和电机控制等领域。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电路、电池充电器和工业自动化设备中的功率开关。由于其高效率和良好的热稳定性,该器件也常用于需要长时间运行的设备中,如不间断电源(UPS)和工业控制系统。
2SK2545, 2SK1530