BAS40 T/R是一种常用的表面贴装硅开关二极管,广泛用于电子设备中的信号切换和保护电路。该器件具有快速开关特性和低正向压降,适用于高频应用。T/R表示该器件采用卷带封装(Tape and Reel),适合自动化贴片工艺。
类型:硅开关二极管
最大正向电流:100 mA
峰值反向电压:100 V
正向电压(@10 mA):最大1.25 V
反向漏电流(@100 V):最大100 nA
封装形式:SOT-23(TO-236)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
结电容(@0 V):约20 pF
BAS40 T/R具备快速开关能力,其反向恢复时间(trr)通常低于4 ns,使其适合用于高频开关电路。该器件的正向压降较低,能够在10 mA电流下保持低于1.25 V的压降,有助于减少功率损耗。其SOT-23封装形式节省空间,适合高密度PCB布局。BAS40 T/R的工作温度范围宽广,能够在恶劣环境中稳定工作。
此外,该二极管的反向漏电流极低,在100 V反向电压下最大仅为100 nA,确保了在高阻断电压下的稳定性。其结电容约为20 pF,在射频和高速开关应用中表现良好。该器件的可靠性高,符合工业标准,适用于各种电子设备。
BAS40 T/R常用于信号切换电路、电压钳位保护、高频整流、隔离电路、继电器驱动以及逻辑电平转换等应用。其高频特性使其适用于射频开关、通信设备中的信号路由以及保护敏感元件免受电压浪涌的影响。
1N4148W-7-F, LL4148TTR, BAS4006T/R, BAS40-04W