型号：K7R321882M-EC30
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR SDRAM
　　组织结构：32 Meg x 16 Bit x 8 Banks
　　总容量：4 Gb (512 MB)
　　数据宽度：16位
　　电压：1.8V / 1.7V 核心与I/O电压
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　最大时钟频率：133 MHz
　　数据速率：266 Mbps (DDR)
　　刷新模式：自动刷新，自刷新
　　访问模式：突发式读写操作
　　时序参数：CL = 2.5 或 3（依据操作条件）
　　功耗特性：支持多种低功耗模式，包括待机、预充电功率下降和深度掉电模式

K7R321882M-EC30作为一款专为移动设备设计的低功耗DDR SDRAM芯片，具备多项关键技术特性以满足便携式电子产品对性能、功耗和物理尺寸的严苛要求。首先，在架构设计方面，该芯片采用了8个内部存储体（Bank）的并行架构，每个存储体可独立进行寻址和操作，从而提升了整体的数据吞吐能力。这种多Bank结构允许在不同Bank之间交错执行行激活、列读写和预充电等操作，有效隐藏了内存访问延迟，提高了连续数据流的传输效率，特别适合视频播放、图像处理和大型应用程序运行中的高带宽需求场景。
　　其次，该器件实现了完整的低电压运行机制，核心电压和I/O接口电压均工作在1.8V或更低的1.7V水平，相较于传统全电压DDR SDRAM显著降低了动态功耗。同时，它集成了先进的电源管理功能，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-Refresh）模式。在自刷新模式下，芯片能够利用内部计数器自主完成刷新操作，无需外部控制器干预，此时功耗降至最低，非常适合设备处于睡眠或待机状态时维持数据完整性。
　　再者，K7R321882M-EC30支持双倍数据速率（DDR）技术，即在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而使有效数据传输速率翻倍。配合133MHz的时钟频率，实现最高266Mbps的数据率，满足当时主流移动处理器对内存带宽的基本需求。其输出驱动强度和输入接收电路也经过优化，确保在高频工作下的信号完整性与抗干扰能力。
　　此外，该芯片采用90球FBGA封装，外形紧凑，节距细小，有利于节省PCB布局空间，适应超薄手机主板的设计趋势。制造工艺基于成熟且可靠的CMOS技术，保证了高良率和长期供货稳定性。尽管该型号已逐步被更先进的LPDDR2/LPDDR3所取代，但在其生命周期内曾广泛用于多个品牌的中高端移动设备中，展现出良好的兼容性与可靠性。

K7R321882M-EC30主要应用于各类需要中等容量、低功耗内存解决方案的便携式消费类电子产品中，尤其常见于2000年代末至2010年代初发布的智能手机和平板电脑。作为主内存组件，它通常与应用处理器（Application Processor）协同工作，为操作系统（如Android早期版本）、用户应用程序、图形界面以及多媒体内容提供临时数据存储和高速访问支持。典型应用场景包括移动设备的系统运行内存（RAM），用于加载操作系统核心进程、后台服务、浏览器缓存、游戏资源和多任务切换时的数据暂存，确保系统响应迅速且运行流畅。
　　在多媒体处理方面，该芯片可用于支持高清视频解码、摄像头图像缓冲、音频流播放等对带宽有一定要求的任务。由于其具备突发传输能力和多Bank并发访问特性，能够高效配合GPU或图像信号处理器（ISP）完成帧缓冲区读写操作，提升视觉体验。此外，在嵌入式手持设备如便携式导航仪（PND）、智能电子书阅读器以及工业级移动终端（如手持扫描仪、POS机）中也有应用实例。
　　考虑到其工作电压较低且具备多种节能模式，K7R321882M-EC30也非常适用于电池供电设备，有助于延长单次充电后的使用时间。虽然随着技术进步，该型号已被更高密度、更低功耗的LPDDR2、LPDDR3乃至LPDDR4所替代，但在一些维修替换、老旧设备维护或特定工业控制场景中仍可能被使用。

K7R321882M-EC40
　　K7R321882M-EC2C
　　MT46H32M16LF-6 TG:C
　　EM63A165TS-6G