时间：2025/5/23 5:36:01
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GA0805H563KBXBT31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET芯片，主要用于高效率的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升系统的整体性能。
这款功率MOSFET属于N通道增强型器件，其封装形式为行业标准的表面贴装类型，适合自动化生产线的高效装配需求。
型号：GA0805H563KBXBT31G
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：56A
Qg（栅极电荷）：22nC（典型值）
Ciss（输入电容）：1970pF（典型值）
Vgs(th)（栅源开启电压）：2.2V~4.0V
工作温度范围：-55℃~175℃
GA0805H563KBXBT31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，得益于优化的栅极电荷设计，使得该器件非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，提升了在异常情况下的耐受性和可靠性。
4. 宽广的工作温度范围，使其适用于各种恶劣环境中的工业及汽车级应用。
5. 符合RoHS标准，满足环保要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于笔记本电脑、平板设备和其他便携式电子产品的电源管理。
3. 各类电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 负载开关和保护电路，提供过流保护等功能。
5. 汽车电子系统中的功率控制模块，例如电动助力转向（EPS）系统和电池管理系统（BMS）。
GA0805H563KBXBT21G
IRLR7843PBF
FDP157N04AE
