类型：双PIN二极管
　　配置：单体双二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：75V
　　最大直流阻断电压（VR）：75V
　　最大正向平均整流电流（IO）：215mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：1.25V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 75V
　　反向恢复时间（trr）：4ns @ IF=10mA, IR=1mA, RL=100Ω
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BAS240的核心特性之一是其超快的反向恢复时间，典型值仅为4ns，这使其在高频开关应用中表现出色。这一性能优势源于其先进的硅外延制造工艺和精密的掺杂控制技术，确保了载流子寿命短且一致性高。在高频信号切换过程中，传统的整流二极管往往因较长的反向恢复时间而导致能量损耗增加和信号失真，而BAS240通过极低的trr有效减少了这些不利影响，提升了系统整体效率。
　　其次，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，在-65°C至+150°C的工作结温范围内仍能维持稳定的电气特性。这种宽温域适应能力使其不仅适用于常规环境下的电子设备，也能在高温或低温工业环境中可靠运行。同时，其SOT-23小型化封装结构极大地节省了PCB布局空间，非常适合高密度组装需求的应用场景，如智能手机、平板电脑、无线模块等便携式产品。
　　另一个显著特点是其双二极管结构设计，允许用户将两个独立的二极管用于不同的功能组合，例如共阴极连接实现电压钳位与静电放电（ESD）保护，或者分别用作信号隔离与逻辑电平转换。这种灵活性增强了电路设计的自由度，并有助于减少外部元件数量，从而降低整体成本和提高系统集成度。此外，BAS240的正向导通压降较低，在10mA电流下典型值为1.0V，最大不超过1.25V，这意味着它在导通状态下功耗较小，有利于延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达1A的峰值脉冲电流，适用于瞬态信号处理或突发负载条件下的安全操作。结合其低漏电流（最大5μA@75V）表现，即使在高阻抗电路中也不会引入明显的静态功耗或信号偏移。综合来看，BAS240凭借其高速响应、紧凑尺寸、低功耗和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

BAS240广泛应用于各类需要高速开关响应的小信号处理电路中。在通信领域，常用于射频前端模块中的信号检波、混频和调制解调电路，特别是在无线局域网（WLAN）、蓝牙模块和物联网（IoT）设备中发挥关键作用。其快速的反向恢复时间和低电容特性有助于保持高频信号完整性，避免因延迟或反射引起的信号畸变。
　　在消费类电子产品中，BAS240被大量用于音频/视频接口的瞬态电压抑制和ESD保护，防止静电放电对敏感芯片造成损坏。例如，在HDMI、USB、耳机插孔等连接器附近布置该二极管，可以有效吸收突发性高压脉冲，提升产品的耐用性和用户体验。
　　此外，该器件也常见于电源管理电路中，作为电平移位器或逻辑门辅助元件，配合MOSFET或BJT实现精确的开关控制。在微控制器单元（MCU）外围电路中，可用于按键去抖、信号整形和电压钳位，保障数字信号的稳定传输。
　　工业控制和汽车电子系统中，BAS240因其可靠的温度特性和抗干扰能力，被用于传感器信号调理、继电器驱动保护和CAN总线接口的瞬态防护。尽管其功率处理能力有限，但凭借出色的动态性能，依然在低功耗、高频率应用场景中占据重要地位。随着电子产品向小型化、高效化方向发展，BAS240的应用前景持续扩展。

1N4148WT