GDZJ15C 时间：2025/8/14 13:38:43 阅读：25

GDZJ15C 是一款由 Gigadevice（兆易创新）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优良的热稳定性。GDZJ15C 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，适用于各种 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高效功率开关的场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤6.0mΩ @ Vgs=4.5V
　　功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GDZJ15C 具备多项优良特性，适用于高效率功率转换系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大为 4.5mΩ，而在较低的栅极电压（4.5V）下也能保持在 6.0mΩ 以下，这使其适用于多种栅极驱动电路。
　　其次，GDZJ15C 的最大漏极电流可达 15A，漏源耐压为 60V，能够满足中高功率应用的需求。该器件在高温环境下依然具有良好的导通性能和稳定性，适用于工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）。此外，其 TO-252 封装具备良好的热管理和焊接可靠性，适合表面贴装工艺，便于在 PCB 上布局和散热设计。
　　该 MOSFET 还具备优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，提升系统的可靠性和耐用性。因此，GDZJ15C 在电源转换、电机控制、电池管理系统等高要求应用场景中表现出色。

应用

GDZJ15C 主要应用于各类功率电子系统，包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、升压/降压变换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、开关电源（SMPS）、LED 驱动电源、工业自动化设备以及车载电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。例如，在同步整流拓扑中，GDZJ15C 可作为主开关器件，显著降低导通损耗并提高整体转换效率。在电池管理系统中，它可用于充放电控制电路，确保电池组的安全高效运行。