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BSS138-7-F 发布时间 时间:2025/4/30 17:21:30 查看 阅读:5

BSS138-7-F是一款N沟道增强型小信号场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。该器件以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性而著称,适合用于开关、负载驱动和保护电路等场景。其封装形式为SOT-23,具有体积小、易于安装的特点。
  BSS138-7-F的耐压范围通常在50V左右,能够提供较高的电流承载能力,同时保持较低的功耗。由于其出色的电气性能和紧凑的设计,BSS138-7-F成为了许多设计工程师在需要小型化和高效能解决方案时的首选。

参数

最大漏源电压:50V
  最大栅源电压:±10V
  最大漏极电流:200mA
  导通电阻:1.6Ω
  总功耗:270mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. N沟道增强型MOSFET
  2. 小信号应用优化
  3. SOT-23封装,尺寸紧凑
  4. 低导通电阻,减少功率损耗
  5. 快速开关速度,适用于高频电路
  6. 高可靠性和稳定性
  7. 广泛的工作温度范围,适应多种环境
  8. 具备静电放电保护功能

应用

1. 开关电路中的负载控制
  2. 电池供电设备中的电源管理
  3. 消费类电子产品中的保护电路
  4. 通信设备中的信号切换
  5. 音频设备中的静音电路
  6. LED驱动电路
  7. 数据传输接口的ESD保护

替代型号

BSS138
  BSS84
  2N7000

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BSS138-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 欧姆 @ 220mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS138-FDITR