您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HY514404ALJ-60

HY514404ALJ-60 发布时间 时间:2025/9/2 5:18:00 查看 阅读:10

HY514404ALJ-60 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于DRAM的EDO(Extended Data Out)类型,具有较高的数据存取速度和较低的功耗,适用于需要快速数据处理的系统。HY514404ALJ-60采用4M x4的存储结构,总容量为16MB,广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及老式计算机设备中。该芯片的工作电压为5V,采用TSOP封装形式,适合在较为苛刻的工业环境中稳定工作。

参数

容量:16MB
  组织结构:4M x 4
  类型:DRAM(EDO)
  供电电压:5V ± 0.5V
  访问时间:6ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大工作频率:166MHz
  数据保持时间:最小64ms
  刷新周期:64ms

特性

HY514404ALJ-60 属于高性能EDO DRAM芯片,其关键特性包括高速数据访问、低功耗设计以及出色的稳定性。该芯片的访问时间仅为6ns,支持高达166MHz的工作频率,能够满足对数据吞吐量要求较高的应用场景。与标准DRAM相比,EDO技术通过延长数据输出时间,减少了存储器访问的等待周期,从而提高了整体系统性能。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,降低系统功耗。其TSOP封装形式不仅减小了PCB布局空间,还增强了高频下的信号完整性。HY514404ALJ-60符合工业级温度标准,适用于各种复杂环境下的长期运行。

应用

HY514404ALJ-60 主要用于需要较高内存性能但又不需要更先进SDRAM或DDR技术的嵌入式系统和工业控制设备。典型应用包括网络交换机、路由器、工业计算机、视频采集设备、测试测量仪器以及部分老式图形加速卡。由于其高速访问能力和低功耗特性,该芯片也常见于需要实时数据处理的通信设备和自动化控制系统中。

替代型号

HY514404ALJ-60 可以被以下型号替代,具体取决于应用场景:例如ISSI的IS41LV16400B-60以及Micron的MT48LC16M4A2B4-6A。

HY514404ALJ-60推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价