时间:2025/11/8 7:38:05
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BAS21VMFHTE-17是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅PIN二极管,专为高频信号开关和检波应用设计。该器件采用SOD-323(SC-76)小型封装,具有低电容、快速开关速度和高可靠性等特点,非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。其主要材料符合RoHS标准,并且支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保的要求。BAS21VMFHTE-17的工作温度范围宽广,可在-55°C至+150°C之间稳定运行,适用于各种严苛环境下的电路设计。该二极管广泛应用于通信系统、射频识别(RFID)、无线局域网(WLAN)、移动电话以及电视调谐器等高频信号处理场合。由于其优异的高频性能和紧凑的封装尺寸,BAS21VMFHTE-17成为许多高频模拟开关电路中的首选元件之一。
型号:BAS21VMFHTE-17
制造商:Diodes Incorporated
封装/外壳:SOD-323(SC-76)
配置:单个二极管
二极管类型:PIN二极管
反向电压(VRRM):70V
平均整流电流(IO):200mA
正向压降(VF):典型值1.0V @ 10mA
反向漏电流(IR):最大值1μA @ 50V
结电容(Cj):典型值0.85pF @ 4V
反向恢复时间(trr):典型值4ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
峰值重复反向电压(VRRM):70V
非重复峰值浪涌电流(IFSM):500mA
热阻抗(RθJA):350°C/W 典型值
BAS21VMFHTE-17作为一款高性能的硅PIN二极管,在高频信号处理领域展现出卓越的技术优势。其核心结构为PIN架构,即在P型和N型半导体之间插入一层本征(Intrinsic)区域,这种设计显著降低了结电容并提高了载流子存储效率,从而实现快速的开关响应和良好的高频线性特性。该器件的典型结电容仅为0.85pF(在4V偏置下),使其在GHz级别的射频信号路径中表现出极低的信号损耗,适用于高频滤波、天线切换和信号路由等关键应用场景。此外,其反向恢复时间(trr)典型值为4ns,保证了在高速开关操作中的高效性能,有效减少信号失真与交叉干扰。
该二极管具备70V的最大重复反向电压能力,能够在较宽的电压范围内可靠工作,同时支持最高200mA的平均整流电流,适合用于小功率信号整流与保护电路。其正向导通压降较低,典型值为1.0V(在10mA条件下),有助于降低功耗并提升能效。在关断状态下,反向漏电流极小,最大不超过1μA(在50V时),确保了在高阻抗电路中的良好隔离性能。得益于SOD-323超小型表面贴装封装,BAS21VMFHTE-17不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,广泛适用于智能手机、平板电脑、物联网模块和其他紧凑型消费类电子产品。
该器件的工作结温范围从-55°C到+150°C,具备出色的热稳定性与环境适应性,可承受回流焊过程中的高温冲击,并在恶劣工业环境中长期稳定运行。其热阻抗RθJA约为350°C/W,表明在无额外散热措施的情况下仍能有效散发内部热量。整体设计符合无铅(Pb-free)和RoHS环保标准,支持绿色环保制造流程。综上所述,BAS21VMFHTE-17以其优异的高频响应、紧凑尺寸和高可靠性,成为现代高频电子系统中不可或缺的基础元器件之一。
BAS21VMFHTE-17主要用于高频信号开关、射频前端模块、电视调谐器、移动通信设备、无线局域网(WLAN)系统、蓝牙模块、射频识别(RFID)读写器、天线切换电路、自动增益控制(AGC)电路、信号检波与解调电路等场景。其低电容和快速响应特性使其特别适合用于需要高频率响应和低插入损耗的应用。此外,该器件也常被用作静电放电(ESD)保护元件或瞬态电压抑制辅助器件,在敏感射频线路中提供一定程度的过压防护。由于其小型化封装和良好的高频性能,它在便携式消费电子产品如智能手机、可穿戴设备和无线传感器网络节点中得到广泛应用。
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"BAS21",
"BAS21-04",
"BAS21-05",
"BAS21LT1G",
"BAS21WS",
"BAS21HW",
"BAS21AK"
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