LN2302LT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的Trench沟槽工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合于中高功率应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5.6A
导通电阻(Rds(on)):32mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on)):47mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-223
晶体管配置:单
LN2302LT1G具有低导通电阻,这使得在高电流应用中可以减少功率损耗,提高系统效率。该MOSFET的导通电阻在Vgs=10V时仅为32mΩ,在Vgs=4.5V时为47mΩ,使其适用于多种驱动电压环境。此外,LN2302LT1G采用了Trench沟槽工艺,优化了开关性能,降低了导通损耗,同时具备良好的热稳定性,适合高频率开关应用。
该器件采用SOT-223小型封装,有助于节省PCB空间,适用于紧凑型设计。其热阻(RθJA)约为60°C/W,确保在正常工作条件下能够有效散热。此外,LN2302LT1G具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在高压瞬态环境下的可靠性。
栅极驱动电压范围宽,支持4.5V至20V的Vgs操作,使其兼容多种驱动电路,包括低电压逻辑控制器。此外,该MOSFET具有低栅极电荷(Qg)特性,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。其封装符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。
LN2302LT1G常用于各类电源管理系统,如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关以及电池管理系统(BMS)。在电源适配器、便携式电子设备、工业控制系统以及汽车电子应用中,该MOSFET能够提供高效的功率控制和可靠的性能。此外,该器件也可用于电机驱动、LED照明调光电路以及各类需要高速开关性能的电子系统中。
Si2302DS, AO3400, IRLL2703, FDN340P